次世代広帯域メモリーＨＢＭ４の主導権競争が始まった。国際半導体技術協会（ＪＥＤＥＣ）が１６日にＨＢＭ４の標準規格を発表し、直前の第５世代ＨＢＭ（ＨＢＭ３Ｅ）市場でＳＫハイニックスに押されたサムスン電子と米マイクロンが戦列を整えている。そうした中で既存の同盟に亀裂の兆しもみられる。

ＪＥＤＥＣは「生成人工知能（ＡＩ）、高性能コンピューティング（ＨＰＣ）、高級グラフィックカードなどに必須の技術的進歩を成し遂げた」としてＨＢＭ４の標準規格を発表した。これによると、ＨＢＭ４の最大帯域幅は１秒当たり２テラバイトで、ＨＢＭ３Ｅの１．２テラバイトより約６７％向上した。チャンネル数は既存の１６個から３２個に２倍に増えた。帯域幅が大きいほどデータ伝送速度が速くなり、チャンネル数が多いほどデータ移動通路が増える。そのためＨＢＭ４は大規模データを扱うＡＩ演算に最適化されたメモリー構造と評価される。

半導体業界ではＳＫハイニックスと韓美（ハンミ）半導体間のＴＣボンダー装備をめぐる対立に関心が集まっている。ＨＢＭ４市場で積層競争はさらに激しくなる可能性が大きいが、ＳＫハイニックスが積層技術の核心装備であるＴＣボンダーの供給元を多角化する兆しを見せているためだ。ＴＣボンダーは複数のＤＲＡＭを垂直に積み上げＨＢＭを作る過程で熱と圧力を加え、チップを安定的に基板に取り付ける役割をする。この性能によりＨＢＭの歩留まりが左右されたりもする。


ＨＢＭ３Ｅ製品は主に１２層だったが、ＨＢＭ４からは１６層が市場の標準として定着する可能性が大きい。業界関係者は「高性能ＡＩ演算に対する需要が高まりＨＢＭ４メーカーが発売初期から１６段積層を基本仕様として採択するだろう」と話した。このため積層過程でＤＲＡＭチップが曲がったり発熱問題が生じたりしないようにするＴＣボンダー装備の技術力が重要になる見通しだ。

しかし最近ＳＫハイニックスがＴＣボンダー市場世界１位である韓美半導体だけから納品を受けていたが、ハンファセミテックを調達先に追加して不和が起きた。韓美半導体は自社と特許訴訟中である競合企業の装備を使ったことに反発し、ＳＫハイニックスに常駐していたエンジニア人材を引き揚げて装備価格引き上げを通知した状態だ。韓美半導体は２０１７年に業界で初めて開発したＴＣボンダーの「２個のモジュール・４個のボンディングヘッド方式」をハンファセミテックが無断活用したと主張し、昨年１２月にソウル中央地裁で特許侵害訴訟を提起した。

ＳＫハイニックスと韓美半導体の同盟が異常シグナルを見せる中で、ＨＢＭ後発走者は早く動いている。米マイクロンは最近ＡＩメモリー需要に対応するためＨＢＭ専従事業部を新設した。サムスン電子もＨＢＭ４からはファウンドリー（半導体委託生産）工程が適用されるだけに、メモリー技術力にファウンドリー事業を結合して突破口を模索する計画だ。サムスン電子の全永鉉（チョン・ヨンヒョン）ＤＳ部門長（副会長）は最近の株主総会で「ＨＢＭ４では過去の失敗を繰り返さないため徹底的に準備中」と強調した。

韓美半導体が過去に特許紛争で取引を中断したサムスン電子と関係回復に出るとの見通しも提起される。祥明（サンミョン）大学システム半導体学科のイ・ジョンファン教授は「韓美半導体はサムスン電子と同じ工程方式でＨＢＭを生産するマイクロンにすでにＴＣボンダーを納品しているため、サムスンと韓美の経営陣が決心次第だろう」と話した。