韓国半導体大手のＳＫハイニックスが、現存するＤＲＡＭのうち最も微細な工程を適用した１０ナノ（ｎｍ・１ｎｍ＝１０億分の１メートル）級の第６世代ＤＲＡＭを世界で初めて開発した。この技術は人工知能（ＡＩ）半導体用高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）など先端メモリーに適用されて、ＳＫハイニックスのＨＢＭ市場先導にはずみがつく見通しだ。

２９日、ＳＫハイニックスは１０ナノ級第６世代１ｃ工程を適用した１６ギガバイト（Ｇｂ）ＤＤＲ５　ＤＲＡＭの開発に成功したと明らかにした。「１ｃ」はＤＲＡＭ工程の微精度による世代区分で、１０ナノＤＲＡＭ１～３世代は１ｘ・１ｙ・１ｚ、４～６世代はそれぞれ１ａ・１ｂ・１ｃと表現される。現在使用されている最先端５世代１ｂＤＲＡＭを凌駕する次世代製品を先駆けて開発した。ＳＫハイニックスは「年内に量産準備を終えて来年から製品を供給する計画」と明らかにした。

１ｃ　ＤＤＲ５　ＤＲＡＭは高性能と原価競争力を同時に備えているというのが会社側の説明だ。動作速度は８Ｇｂｐｓ（１秒当たり８ギガビット）で、前世代に比べて１１％高速化を実現し、電力効率は９％改善され、１ｃ　ＤＤＲ５をデータセンターに適用する場合、電気料金を３０％節減することができるという。


メモリー半導体も超微細工程は極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備を使用しているが、ＳＫハイニックスはＥＵＶ特定工程に新素材を開発して適用する一方、ＥＵＶを適用する工程を最適化して１ｃ　ＤＤＲ５工程の生産性を前世代に比べて３０％以上引き上げたと明らかにした。

１ｃ　ＤＲＡＭはＡＩアクセラレータ用ＨＢＭ、モバイル用低電力ＬＰＤＤＲ、グラフィック処理用ＧＤＤＲなど、ＤＲＡＭ基盤とした先端メモリー製品に適用されることになる。次々世代ＨＢＭであるＨＢＭ４Ｅ（第７世代）に使用される予定だ。ＡＩサーバーの需要増加とオンデバイスＡＩ製品の拡大などで先端ＤＲＡＭの需要が増加しているところだ。