米国政府が半導体補助金を受ける企業に対する対中投資制限の方針を多少緩和し韓国半導体企業の「チャイナリスク」が一定部分軽減されたという評価が出ている。だが補助金を受けるために充足しなければならない他の細部条件と半導体装備輸出統制に対する変数が残っており、サムスン電子とSKハイニックスなど韓国企業は依然として困惑している状況だ。
米商務省は21日、CHIPS法補助金支援と関連したガードレール(安全装置)条項の細部規定を公開した。補助金を受ける場合、向こう10年間は中国など海外の懸念国で先端半導体生産能力を5%(汎用半導体は10%)以内で拡張できるようにすることが核心だ。
生産能力の量的拡大を5%以内に制限するという意味は工場で生産される半導体の量に限度を置くのではなく、投入されるウエハーの数を制限するという意だ。半導体は原板のウエハーに印刷する形で生産するが、工程技術が発達するほど1枚当たりで生産される半導体チップの量は増える。
韓国ではひとまず歓迎するという立場だ。産業通商資源部の李昌洋(イ・チャンヤン)長官は22日、「現在では技術アップグレードに具体的制限がなく(中国での)生産容量拡大がもっとあるかもしれない。5%(の規定を)どのように見るかは多様な見解があるだろうが、企業が安堵できる基本的要件は満たされたと考える」と話した。漢陽(ハニャン)大学融合電子工学部のパク・ジェグン教授は「今後中国で半導体を生産できない否定的状況まで懸念したが、韓国政府が米国商務省と数回ミーティングをして交渉をうまく引き出したもの」と評価した。
だが依然として韓国の半導体業界が緊張しなければならない懸案が残っている。最大の懸念は10月までに限定された韓国の対中半導体装備輸出統制措置だ。昨年10月に米国はサムスン電子とSKハイニックスに1年間一時的に中国工場のアップグレードに必要な装備を搬入できるようにする包括的承認を受けた。今年10月にはこの猶予措置が満了するため7~8月ごろ再交渉しなければならない状況だ。業界関係者は「もしも米国がこれを続けて許容できないというならば中国への先端装備設備投入は不可能で、これは結局技術開発に対する制限が生じる恐れがあるものでまだ安心することはできない」と話した。
現在サムスン電子はNAND型フラッシュの40%を、SKハイニックスはDRAMの40%とNANDの20%を中国工場で生産している。特にメモリー半導体の場合、技術発展速度が速いため向こう10年間技術開発がなされなければ中国工場の実質的な経済性は落ちる。
米商務省が規定した汎用半導体基準も議論の的だ。現在ロジック半導体28ナノメートル、DRAM18ナノメートル、NAND型フラッシュ128層を汎用半導体の基準として定め、これ以上の技術には追加投資ができないようにした。半導体業界関係者は「だが数年過ぎればこうした水準の半導体は市場でだれも求めなくなる時がくる。技術発展速度に合わせて細部規定を変えなければ結局投資制裁と同じことになるだろう」と話した。これに対し米商務省の高位当局者は「2年ごとに汎用半導体の定義を見直すという内容がCHIPS法にある」と説明した。
今後政府は米国政府のヒアリング期間が60日残っているだけに半導体業界の意見を反映して追加協議も進める予定だ。
一方、半導体など国家戦略技術に対する投資税額控除率を高める、いわゆる「K-CHIPS法」が22日に国会企画財政委員会で議決された。国会法制司法委員会を経て本会議で法案が通過すれば今年から施行される。
米商務省は21日、CHIPS法補助金支援と関連したガードレール(安全装置)条項の細部規定を公開した。補助金を受ける場合、向こう10年間は中国など海外の懸念国で先端半導体生産能力を5%(汎用半導体は10%)以内で拡張できるようにすることが核心だ。
生産能力の量的拡大を5%以内に制限するという意味は工場で生産される半導体の量に限度を置くのではなく、投入されるウエハーの数を制限するという意だ。半導体は原板のウエハーに印刷する形で生産するが、工程技術が発達するほど1枚当たりで生産される半導体チップの量は増える。
韓国ではひとまず歓迎するという立場だ。産業通商資源部の李昌洋(イ・チャンヤン)長官は22日、「現在では技術アップグレードに具体的制限がなく(中国での)生産容量拡大がもっとあるかもしれない。5%(の規定を)どのように見るかは多様な見解があるだろうが、企業が安堵できる基本的要件は満たされたと考える」と話した。漢陽(ハニャン)大学融合電子工学部のパク・ジェグン教授は「今後中国で半導体を生産できない否定的状況まで懸念したが、韓国政府が米国商務省と数回ミーティングをして交渉をうまく引き出したもの」と評価した。
だが依然として韓国の半導体業界が緊張しなければならない懸案が残っている。最大の懸念は10月までに限定された韓国の対中半導体装備輸出統制措置だ。昨年10月に米国はサムスン電子とSKハイニックスに1年間一時的に中国工場のアップグレードに必要な装備を搬入できるようにする包括的承認を受けた。今年10月にはこの猶予措置が満了するため7~8月ごろ再交渉しなければならない状況だ。業界関係者は「もしも米国がこれを続けて許容できないというならば中国への先端装備設備投入は不可能で、これは結局技術開発に対する制限が生じる恐れがあるものでまだ安心することはできない」と話した。
現在サムスン電子はNAND型フラッシュの40%を、SKハイニックスはDRAMの40%とNANDの20%を中国工場で生産している。特にメモリー半導体の場合、技術発展速度が速いため向こう10年間技術開発がなされなければ中国工場の実質的な経済性は落ちる。
米商務省が規定した汎用半導体基準も議論の的だ。現在ロジック半導体28ナノメートル、DRAM18ナノメートル、NAND型フラッシュ128層を汎用半導体の基準として定め、これ以上の技術には追加投資ができないようにした。半導体業界関係者は「だが数年過ぎればこうした水準の半導体は市場でだれも求めなくなる時がくる。技術発展速度に合わせて細部規定を変えなければ結局投資制裁と同じことになるだろう」と話した。これに対し米商務省の高位当局者は「2年ごとに汎用半導体の定義を見直すという内容がCHIPS法にある」と説明した。
今後政府は米国政府のヒアリング期間が60日残っているだけに半導体業界の意見を反映して追加協議も進める予定だ。
一方、半導体など国家戦略技術に対する投資税額控除率を高める、いわゆる「K-CHIPS法」が22日に国会企画財政委員会で議決された。国会法制司法委員会を経て本会議で法案が通過すれば今年から施行される。
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