「勝負所は『ＧＡＡ』だ」。

サムスン電子ファウンドリー（半導体委託生産）事業部の社員同士でこのところ叫ぶスローガンだ。新しい生産方式で世界ファウンドリー１位の台湾ＴＳＭＣに逆転するという意志の表現だ。ＧＡＡは「ゲートオールアラウンド（Ｇａｔｅ　Ａｌｌ　Ａｒｏｕｎｄ）」技術を示す。ＧＡＡは最近半導体業界で最も注目される新技術であり、未来市場を左右する話題だ。

サムスンは「２０３０年にシステム半導体世界１位に上がる」という目標を掲げている。ファウンドリーは代表的なシステム半導体だ。世界のファウンドリー市場でＴＳＭＣは独歩的な存在だ。今年ファウンドリー市場規模が１０００億ドル台に成長すると予測される中で今後市場シェアが６０％を超えるという分析も出ている。市場調査会社であるカウンターポイントリサーチが先月３０日に明らかにしたところによると、ＴＳＭＣは売り上げ基準で４－６月期のファウンドリー市場シェア５８％で１位を守った。サムスン電子は１４％で２位だった。


サムスン電子の立場ではこの構図を揺るがす「何か」が切実だ。その切り札がまさにＧＡＡだ。ＧＡＡはサムスン電子がこの２０年間に意気込んで開発した秘密兵器でもある。サムスン電子関係者は「半導体技術領域でＧＡＡ開発は『産業革命』に匹敵するほど画期的な技術の変換」と話す。ＧＡＡは簡単に言えば、半導体チップの基本素子であるトランジスタをさらに小さく速く、少ない電力で作動させる技術だ。

これまでトランジスタを最も小さく速くさせられる技術は魚の背びれ型の「フィントランジスタ」だった。サムスンの場合、２０１２年に１４ナノプロセスでフィントランジスタを導入した。だが７ナノメートルから５ナノ、４ナノなどとナノプロセス技術が発展しブレーキがかかった。フィントランジスタ構造では４ナノ以下のプロセスで動作電圧を減らすことが不可能だった。これを解決する技術がまさにＧＡＡだ。

サムスンがＧＡＡ基盤の３ナノプロセスの量産に先に成功すればＴＳＭＣを一気に追い上げることもできる。反対に失敗すれば、サムスンのＴＳＭＣ追撃戦は事実上終わる。サムスンの立場でＧＡＡはファウンドリー事業の命運を賭けた勝負という話だ。サムスン電子ファウンドリー事業部長の崔時栄（チェ・シヨン）社長はこれと関連し、「最先端ＧＡＡ技術に基づいて開発された３ナノプロセスは今後さらに小型化されたチップ開発で核心になるだろう」と自信を見せた。

サムスン電子は７日に開かれた「サムスンファウンドリーフォーラム２０２１」で、来年上半期にＧＡＡ基盤の３ナノプロセスに入り、２０２５年には２ナノＧＡＡプロセスに突入するだろうと宣言した。これに対しＴＳＭＣは既存のフィンＦＥＴ方式で来年７月に３ナノの量産に入り、２０２４年にＧＡＡを適用した２ナノ製品の量産を始める計画だ。


ファウンドリーの地形をひっくり返せ…サムスンの秘密兵器「ＧＡＡ」（２）