サムスン電子がファウンドリー（半導体委託生産）市場版図を変えると期待される次世代工程技術「ＧＡＡ（Ｇａｔｅ　Ａｌｌ　Ａｒｏｕｎｄ）」の導入を再確認した。２ナノ工程計画も初めて提示した。７日にオンラインで開催された「サムスンファウンドリー２０２１」行事でだ。

◆ＧＡＡ、トランジスターを小さく速くする技術

今回のフォーラムは「一次元を加える（Ａｄｄｉｎｇ　Ｏｎｅ　Ｍｏｒｅ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）」というテーマで開催され、サムスン電子は来年上半期にＧＡＡ技術基盤の３ナノ（ｎｍ、１ナノ＝１０億分の１メートル）工程を導入すると明らかにした。また２０２３年には３ナノ第２世代、２０２５年にはＧＡＡ基盤２ナノ工程に入るという計画も出した。サムスン電子が２ナノ工程計画を明らかにしたことは初めて。


ＧＡＡとは、半導体チップの基本素子「トランジスター」をさらに小さく、速くし、電力消耗を減らす最新の技術。今までトランジスターを最も小さく速くする技術は魚の背びれ（Ｆｉｎ）の形に似た「フィントランジスター」だった。サムスンの場合、２０１２年に１４ナノ工程からフィントランジスターを導入した。

◆性能３０％向上、電力消耗５０％減少

しかし７ナノ、５ナノ、４ナノなど超微細工程技術が発展し、限界にぶつかった。フィントランジスター構造では４ナノ以下の工程で「動作電圧」（トランジスターなどを動作させるために必要な電源電圧）を減らすのが不可能だった。これを解決する技術がＧＡＡだ。

サムスン電子はさらに進んで独自のＧＡＡ技術「ＭＢＣ　ＦＥＴ」（Ｍｕｌｔｉ　Ｂｒｉｄｇｅ　Ｃｈａｎｎｅｌ－Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を開発した。サムスン電子側は「ＭＢＣ　ＦＥＴ構造を適用した３ナノ工程は従来のフィンＦＥＴ基盤の５ナノ工程に比べて性能は３０％向上し、電力消耗と面積はそれぞれ５０％、３５％減少するとみている」と説明した。

今回のフォーラムでサムスンは１７ナノのフィンＦＥＴ新工程も発表した。サムスン電子の関係者は「今回の新工程は前工程と比べて性能は３９％、電力効率は４９％向上し、面積は４３％縮小するだろう」と説明した。

◆「先端微細工程など技術革新を差別化」

崔時栄（チェ・シヨン）サムスン電子ファウンドリー事業部社長はこの日の基調演説で「大規模な投資で生産力量を拡大し、ＧＡＡなど先端微細工程だけでなく従来の工程でも差別化した技術革新を続ける」と強調した。続いて「新型コロナの影響でデジタル転換が急速に進んでいる中、顧客のさまざまなアイデアがチップで具現されるよう差別化された価値を提供していきたい」と述べた。

２０１６年に始まったファウンドリーフォーラムはサムスン電子ファウンドリー事業のロードマップと新技術を紹介する行事。昨年は新型コロナの感染拡大で開催されなかった。今回の行事には歴代フォーラムのうち最も多い約５００社、２０００人以上のファブレス（半導体設計専門業者）顧客とパートナーが事前登録した。