「メイド・イン・チャイナ」が半導体生産装備業界まで食い込んでいる。中国が米国の規制により確保するのが困難になった露光装置を直接作るとし、さらに速くなる中国の「半導体1人立ち」が韓国の業界の長期変数として浮上している。

ロイター通信は28日、中国国営企業の上海愛晟納電子科技集団が独自開発した浸漬型深紫外線（DUV）露光装置生産に入ったと報道した。今年5台出荷し、来年は20台の生産が目標だ。装備は中国のファウンドリー企業であるSMICと華虹半導体、DRAM企業の長鑫存儲技術（CXMT）などに供給される予定だ。この会社は中国の主要露光装置企業の開発組織を1カ所に集め2023年に設立されたという。


露光装置は半導体ウエハーの上に光を照射して微細な回路を刻む核心装備だ。回路をより細かくするほど半導体の性能は高まり電力消費が減る。使う光により深紫外線（DUV）と極端紫外線（EUV）装備に分かれるが、このうち浸漬型DUVはレンズとウエハーの間に水を張り一般DUVより微細な回路を形成する。広帯域メモリー（HBM）など先端メモリーはこれよりさらに精密なEUV工程を使う。


EUV装備はオランダのASMLが独占供給している。中国は米国の輸出規制により2019年からEUV輸入が制限されており、先端浸漬型DUVも輸入が難しくなった。最近米国議会ではDUV装備のメンテナンス制限まで推進中だ。中国が装備国産化にスピードを出す背景だ。

市場は敏感に反応した。この日ASMLの株価は取引時間中に7％以上落ち込み、米国の半導体装備株も劣勢を見せた。韓国の半導体株もエヌビディア発の人工知能（AI）投資鈍化ｎ懸念に加え、中国製DUV量産の話まで重なり急落した。キウム証券のハン・ジヨン研究員は「中国メモリー企業の増設の可能性がメモリー市場の競争激化の懸念を育てた」と話した。

韓国の半導体業界は市場の懸念が多少先走っているとみている。半導体企業関係者は「中国製DUVが海外半導体企業に販売されるほどの競争力を備えたかが重要な基準。DUVよりは（中国が）EUVを独自開発できるかがもっと大きい変数」と話した。

ただ長期的な競争構図変化には備えが必要と指摘される。ポステックのイ・ビョンフン教授は「中国製DUVがシェアを伸ばせばDDR4など汎用DRAMとNANDの生産能力を増やすことができる。3～5年後に備える必要がある」と話した。成均館（ソンギュングァン）大学のクォン・ソクチュン教授は「中国が2030年までに汎用半導体自立度を高めることは可能だろう。HBMで優位を守っても汎用製品のマージンが損なわれれば負担が大きくなるかもしれない」と話した。