サムスン電子が今年1－3月期の世界DRAM市場でシェア38％を記録し、2四半期連続で首位を維持した。一方、高帯域幅メモリー（HBM）市場では、SKハイニックスが58％のシェアで首位を守った。

25日、カウンターポイント・リサーチによると、今年1－3月期の売上高ベースの世界DRAM市場シェアは、サムスン電子が38％、SKハイニックスが29％、マイクロン（Micron）が22％だった。


昨年第1－3月期、4－6月期はSKハイニックスが首位だったが、昨年7－9月期には両社が33％で並び、10－12月期からはサムスン電子が首位を維持している。両社のシェアの差も昨年10－12月期の4ポイントから、今年1－3月期には9ポイントへと拡大した。


中国の長鑫存儲技術（CXMT）は、シェアを昨年の3％から今年は8％まで引き上げ、成長を続けた。DRAM市場全体の規模は前四半期比80％、前年同期比260％の成長を記録した。

HBM市場では、SKハイニックスが58％のシェアで首位を記録し、サムスン電子とマイクロンはそれぞれ21％だった。SKハイニックスのシェアは昨年1－3月期の69％からは低下したものの、依然として過半を維持している。

カウンターポイント・リサーチは、サムスン電子がエヌビディア（NVIDIA）にHBM4を初めて供給したことで、今後シェアを拡大する可能性が高く、HBM4の供給は今年下半期から本格化するとの見通しを示した。

NAND型フラッシュメモリー市場では、サムスン電子が29％のシェアで首位を記録した。これに続き、SKハイニックスが18％、キオクシアが14％、マイクロン、サンディスク（Sandisk）、長江存儲科技（YMTC）がそれぞれ13％だった。

特にYMTCは、メモリー供給不足と価格上昇の影響で、昨年1－3月期の8％から今年は13％までシェアを伸ばしたことが分かった。