2023年、長鑫存儲技術（CXMT）が中国半導体メーカーとして初めて18ナノDRAMの量産に成功したというニュースが、半導体業界を揺るがせた。

韓国のサムスン電子がDRAM分野で世界的な競争力を維持していた状況下で、中国企業が18ナノ級DRAMを開発したことは、韓中間の技術格差が大幅に縮まったことを意味するものと解釈されたからだ。当時、18ナノ級DRAMの量産に成功していた国は韓国・米国・台湾の3カ国だけだった。中国が「半導体崛起」を旗印に恐るべきスピードで技術力を引き上げたという評価が続いたが、実際にはサムスン電子の元社員らによる技術流出の結果だということが明らかになった。


ソウル中央地検情報技術犯罪捜査部〔部長検事・金潤竜（キム・ユンヨン）〕は10月1日、サムスン電子から流出した核心技術を活用してDRAM技術を開発したCXMT開発室長のヤン氏ら3人を拘束起訴した。サムスン電子の元役員だったヤン氏を含む3人は、CXMTからサムスン電子時代の給与の5倍にあたる最大30億ウォン（約３億1440万円）の年俸を約束され、この犯行に加担した。


ヤン氏らはCXMTでいわゆる「第2期開発チーム」に属していた。第1期開発チームがすでにサムスン電子の技術を流出させていた状態で、彼らの任務は流出資料をさらに検証し、製造テストを行うことだった。かつてサムスン電子が1兆6000億ウォンを投じて開発した技術を流出させたのは、別のサムスン電子出身社員のパク氏だった。

パク氏は数百段階に及ぶ工程情報をそのままノートに写し取り、その技術をCXMT側に渡した容疑で、現在、国際刑事警察機構（インターポール）の赤手配（国際手配）を受けている。

検察の捜査結果によると、CXMTに16ナノDRAM技術が流出したことでサムスン電子が受けた売上減少額は昨年基準で5兆ウォンに達した。被害額は今も着実に増えており、今後数十兆ウォンに上る可能性がある。