TSMCロゴ。[写真 ロイター=聯合ニュース]
TSMCはこの日、米国カリフォルニアのシリコンバレーで「2025北米テック・カンファレンス」行事を開き、新技術ロードマップを公開した。
TSMCケビン・ジャン首席副社長は「A14(1.4ナノ)は完全なノード転換基盤の次世代先端シリコン技術」としながら「N2(2ナノ工程)と比べて速度は最大15%高まり、電力消費は30%削減してトランジスタ集積度は1.23倍向上させた」と説明した。
1.4ナノ工程は現在の3ナノ工程とTSMCが今年末に生産に入る2ナノ工程を越える最先端技術だ。
TSMCは来年末には中間段階として1.6ナノ工程技術も導入する予定だと昨年明らかにしていた。TSMCはこの最先端工程にトランジスタの性能と電力効率を画期的に高めたゲート・オール・アラウンド(Gate All Around:GAA)第2世代を基盤として、ナノフレックス・プロ(NanoFlex Pro)アーキテクチャで設計柔軟性も一層高めると説明した。
ナノフレックス・プロはチップ設計者が特定アプリケーションやワークロードに対して最適の消費電力・性能・面積(PPA:Power・Performance・ Area)を達成するためにトランジスタ構成を細かく調整できるようにするアーキテクチャだ。
また、電力線をウエハの裏面に配置して電力効率や半導体性能を同時に高める後面電力供給技術が適用されたチップは2029年から発売される予定だと付け加えた。
TSMCは持続的な技術アップグレードを通じてアップル(Apple)やエヌビディア(NVIDIA)などを主要顧客に高付加価値チップを生産していて、最先端チップ市場占有率の90%を占めている。
TSMCは今年だけで約400億ドル(約5兆7100億円)を設備投資に使う計画で、長期的にAI中心の需要拡大に対応する準備をしていると伝えた。
TSMCは米アリゾナに半導体工場を建設してエヌビディアの最新AIチップBlackwell(ブラックウェル)の生産に入り、近隣に工場2カ所を建設する予定だと付け加えた。
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