ＳＫハイニックスが売り上げのうち中国の割合を３０％から２４％に、サムスン電子が設備資産の中国の割合を８％から５％以下に引き下げたことがわかった。中央日報が両社の過去７四半期の業績を分析した結果だ。第２次トランプ政権で半導体企業の最大の話題である「脱中国」に両社が進度を出したのだ。ただサムスンは「米国売り上げ拡大」、ＳＫは「中国外生産基地確保」という課題を抱えている。

◇米売り上げ急増で中国の割合低下したＳＫハイニックス、悩みは「先端ＤＲＡＭ」

ＳＫハイニックスの７－９月期売り上げのうち中国の割合は２４％で、２０２３年１－３月期の３０％から６ポイント減った。中国で上げた売上額自体は３倍近く増えたが、同じ期間に最新の広帯域メモリー（ＨＢＭ）などの対米輸出が５倍に急増し中国の割合が減ったのだ。ＳＫハイニックスは四半期売り上げ１７兆５７３０億ウォンのうち６兆ウォン以上をエヌビディア１社から得た。


しかし依然として中国での生産の割合は高い方だ。７－９月期のＳＫハイニックスの中国内非流動資産は１１兆８１６３億ウォンで、昨年１－３月期の１７兆４５００億ウォンより大幅に減ったが、依然として会社全体の非流動資産の１９％に当たる。ＳＫハイニックスは最近米インディアナ州に先端パッケージング生産法人を設立するなど、この期間に米国内資産を４８２３億ウォンから５５６０億ウォンに増やしたが割合は少ない。

ＳＫハイニックスは中国無錫工場でＤＲＡＭの４０％ほどを生産するが、米国の対中規制のためここにはオランダＡＳＭＬの極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備のような先端装備を入れることはできない。ＳＫハイニックスはＥＵＶ作業が必要な先端ＤＲＡＭは中国から韓国に持ち込んでＥＵＶ作業を行う形でこれに対応している。

問題はＤＲＡＭの中でも１０ナノ以下のプロセスの割合が大きくなっていることだ。ＳＫハイニックスは最近「ＡＳＭＬの最新装備であるハイＮＡＥＵＶを１０ナノ未満のＤＲＡＭ開発に使う」という計画を明らかにしたが、やはり中国への搬入が不可能な装備だ。半導体業界関係者は「先端ＤＲＡＭになるほどＥＵＶ使用段階が増えるが、ＥＵＶが使えない中国工場に対するＳＫハイニックスの悩みは深いだろう」と話す。同社は忠清北道清州（チュンチョンブクド・チョンジュ）に５兆３０００億ウォンを投じて新規ＤＲＡＭ生産基地を作っているが、竣工は来年１１月の予定だ。

◇中国資産の割合５％以下のサムスン、課題は「米国売り上げ」

サムスン電子は非流動資産の中国の割合を全資産の５％以下に下げた。サムスンは家電とスマートフォン生産はすでにベトナムやインドなどへの移転を終え、上海半導体生産法人と西安販売法人の資産は装備・施設の老朽化により価値が自然減少している。その結果、同社の中国内非流動資産はこの７四半期で１５兆２２４４億ウォンから１０兆１５４５億ウォンに３３％ほど減り、その割合も７．８％から４．８％に下がった。


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