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【コラム】HBMが呼んだ「バタフライ効果」…サムスンの半導体トップまで変えた

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版
高帯域幅メモリー(HBM)。メモリー半導体のDRAMをハンバーガーのパティのように何層にも積んでデータ処理速度を大きく高めた高性能半導体です。並列演算を高速にできるようデータが通過する通路である帯域幅を広げました。それで名前も「High Bandwidth Memory」です。爆発的な量の情報を処理しなければならない生成型人工知能(AI)に絶対に必要な製品です。

HBMが韓国の半導体企業の明暗を分けさせています。SKハイニックスはHBMの技術力を前面に出してメモリー半導体分野でサムスン電子の圧倒的優位を揺るがしています。今年1-3月期のSKハイニックスの営業利益は2兆8860億ウォン(約3304億円)でした。

サムスン電子半導体部門の1兆9100億ウォンより1兆ウォン近く多いです。


状況が逆転したのは2019年のサムスン電子の痛恨の失策のためです。HBMが登場した2010年代初期だけでも両社の技術力は似ていました。しかし2019年にサムスン電子はHBM研究開発専従チームを解散しました。SKハイニックスはHBMへの投資に積極的でした。AI半導体市場が浮上する前で、サムスン電子はHBMの潜在力を過小評価したようでした。2020年以降にAI半導体市場は急成長し、その担々たる大路をSKハイニックスが先に疾走しています。

HBMの「バタフライ効果」でしょうか。21日にサムスン電子は半導体(DS)部門のトップを交代しました。全永鉉(チョン・ヨンヒョン)未来事業企画団長(副会長)をDS部門長に委嘱しました。全副会長がメモリー事業部長を務めた2014~2017年にサムスン電子は競合会社との技術格差を2年ほどで維持しました。「超格差の後継者」に挙げられた全副会長が危機の半導体救援投手として登板した格好です。

HBMをめぐる競争はさらに激しくなる見通しです。両社の競争が半導体大国という韓国の位置付けをさらに強固にする契機になることを期待します。

キム・チャンギュ/経済エディター



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