現存最高性能である第５世代ＨＢＭ３Ｅ（高帯域幅メモリー）市場をめぐりサムスン電子とＳＫハイニックスの総力戦が繰り広げられている間にゲームチェンジャーと呼ばれる次世代ＨＢＭ４の主導権争いも幕が上がった。

ＨＢＭ４からロジック（システム）半導体とメモリー半導体の境界が崩れ始め、ファブレス（半導体設計専門企業）、ファウンドリー（半導体委託生産企業）、メモリー半導体企業の間で主導権争いが始まった中で台湾のＴＳＭＣが最初に野心を表わした。

ＴＳＭＣは１４日、オランダのアムステルダムで行われた欧州技術シンポジウムで第６世代ＨＢＭ４の細部についての内容を初めて公開した。ＴＳＭＣはこの日、ＨＢＭ４に使われるロジックダイ製造に向け１２ナノメートル（ナノは１０億分の１）級と５ナノメートル級プロセスを検討中だと明らかにした。さらに高い性能を引き出すためなら５ナノメートルプロセスを使うこともできるという意味だ。事実上顧客が望むＨＢＭ４を性能によりオーダーメードで作って供給するという戦略だ。


ＨＢＭはベース（ロジック）ダイの上にＤＲＡＭチップであるコアダイを積み上げた後、これを垂直につなげて作られる。ＨＢＭ３Ｅまではベースダイを含んだＨＢＭのすべての部分をサムスン電子やＳＫハイニックスのようなメモリー半導体企業が作ったが、ロジック半導体とメモリー半導体がひとつになり始めたＨＢＭ４からベースダイをファウンドリーが作る。超微細工程を利用してベースダイを作れば演算機能をさらに大きく増やすことができるためだ。例えるならＨＢＭ４はこれまで百貨店（ロジック半導体）とマンション（メモリー半導体）に建物を分けていた構造から初めて抜け出し１階に商店街を入居させた住商複合ビルだ。それだけ速度が速くソフトウエア実行も快適になる。

この日ＴＳＭＣ高位役員は「ＨＢＭ４統合工程に対して主要パートナーと協力している」とし、ＳＫハイニックス、サムスン電子、マイクロンとＨＢＭ４開発をめぐり協議している事実を初めて認めた。このためＴＳＭＣは自社先端パッケージング技術の「ＣｏＷｏＳ」をアップグレードしていると付け加えた。半導体業界ではグラフィック処理装置（ＧＰＵ）などロジック半導体とＨＢＭを並べる現在のパッケージング技術が数年以内にＧＰＵの上にＨＢＭを載せ３次元垂直に積む高難度技術に発展するとみている。ＴＳＭＣはこれと関連し最近新たな先端パッケージング技術ロードマップを発表して優位を固め始めている。すでにエヌビディアとＡＭＤは来年までにＴＳＭＣの先端パッケージングラインに対する「青田買い」を終わらせたという。

これまで確固としたメモリー半導体領域だったＨＢＭの主導権をめぐりファウンドリー最強者のＴＳＭＣが最初に壁を壊し乗り越えてきた形だ。すでにＨＢＭ４開発でＴＳＭＣはエヌビディアだけでなく、ＳＫハイニックスとも公式な協力を宣言し３者同盟を結んだ。ＨＢＭ４からはＴＳＭＣが生産したベースダイをＳＫハイニックスが受け取りここにＤＲＡＭを積層する方式で作られる可能性が大きい。

それなら最後に残った変数はサムスン電子だ。サムスンはベースダイを自社のファウンドリーで製作できる。世界で唯一設計だけでなく超微細工程が可能なファウンドリーとメモリーまで保有する総合半導体メーカーだ。だがＴＳＭＣがＨＢＭ市場を狙って宣戦布告しサムスンも少しずつ守勢に追い込まれた格好だ。何よりサムスンは最近ＨＢＭ３Ｅ受注戦でエヌビディアの「承認サイン」を受けられず苦戦している。半導体業界関係者は「サムスンはＨＢＭ市場でメモリー主導権をめぐりＳＫハイニックスと戦うだけでなくファウンドリー覇権をめぐってＴＳＭＣとも競争することになった」と話した。