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主要外信と関連業界によると、米中対立の新たな火種になったのは中国ファーウェイが8月に発売した5Gスマートフォン新製品「Mate60Pro」だ。Mate60Proに搭載された先端半導体、7ナノメートルチップは米国の極端紫外線(EUV)露光装備輸出制裁を乗り越え旧型の深紫外線(DUV)露光装備を使って作ったと推定される。
これは米国が制裁を強化しても中国は「半導体崛起」を持続するという一種の宣戦布告という解釈が出ている。中国経済金融研究所のチョン・ビョンソ所長は「中国は1・2期3328億元に続き3000億元規模の3期半導体ファンドを発売し、半導体装備とソフトウエアに集中投資しようとしている。これ以上米国の技術に依存した半導体の生産は不可能だとみて半導体の国産化に拍車をかけるだろう」と話した。
米国も退かなかった。米商務省は先月22日、CHIPS法ガードレール(安全装置)規定最終案を通じ、自国の補助金を受けた企業が今後10年間中国など懸念国で半導体生産能力を「実質的に拡張」する場合には補助金全額を返還させることにした。実質的拡張とは先端半導体の場合は5%以上、28ナノ以前の世代の汎用半導体は10%以上を意味する。中国内先端半導体の実質的拡張基準を10%に増やしてほしいという韓国の要請は受け入れられなかった。
問題は米中対立に挟まれた韓国だ。ひとまず米国は10日にサムスン電子とSKハイニックスの中国工場に対する米国製半導体装備規制を無期限猶予することにして一息つくことになった。だがリスクが完全に解消されたのではない。韓国の半導体産業は他の国に比べて中国依存度が高く、米ガードレール条項で受ける打撃も大きい。昨年10-12月期基準で台湾のファウンドリー(半導体受託生産)企業TSMCの中国工場の生産の割合は8.7%であるのに対し、サムスン電子のNAND型フラッシュの中国生産割合は38.8%、SKハイニックスは20.4%だった。貿易協会によると、昨年の韓国の対中半導体輸出の割合は40.4%で、台湾の30.4%、日本の23.7%、米国の14.7%、EUの14.0%など主要国に比べて高い。米国が脱中国に向けた「半導体同盟」を強調する状況で米国の補助金を拒否するのも難しい状況だ。
KB金融経営研究所は報告書で「中国の半導体装備の国産化率上昇は長期的に韓国の装備企業に脅威要因。中国は米国の規制に対応してレガシー(非先端)装備の国産化率を高め、参入障壁が低い一部前工程と後工程装備市場をめぐり韓国の半導体装備企業と競争する可能性がある」と分析した。
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