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「韓国半導体が安堵」…中国装備統制を米国が無期限猶予へ

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版

22日、政府ソウル庁舎で記念撮影をする方文圭(パン・ムンギュ)産業通商資源部長官とグレーブス米商務副長官 写真=産業通商資源部

米国政府が早ければ今週にも、サムスン電子とSKハイニックスの中国工場に対する米国産半導体装備規制を無期限猶予する方針を韓国に通知する。中国事業をめぐる韓国半導体業界の不確実性も一部解消される見込みだ。

関連業界と政府筋によると、米商務省は最近、韓国企業に対する半導体装備中国輸出統制措置を無期限猶予する方針を確定し、これを近く通知するという。これに先立ち米政府は18ナノメートル(nm、1nm=10億分の1メートル)以下工程のDRAM、128層以上のNAND型フラッシュメモリー、14ナノ以下のロジック半導体を製造できる米国産技術・装備の中国輸出を制限したが、中国で大規模な生産施設を稼働中の韓国・台湾半導体企業に対しては1年間の猶予措置を取った。

韓国政府は来月に予定された猶予期間満了を控えて米政府と数回の協議をし、結局、米国側が韓国半導体企業に対して例外的な猶予を無期限適用することにした。


具体的にはサムスン電子・SKハイニックスなど韓国企業に「検証されたエンドユーザー」(VEU)方式を適用するとみられる。VEUは事前に承認された企業に限り指定された装備の搬入を認める一種の「包括的許可」方式。VEUに含まれれば、米商務省の別途の承認なく装備を搬入でき、事実上、輸出統制が消える効果がある。

グレーブス米商務副長官は21日に訪韓し、「韓国半導体企業の中国内の合法的な事業は継続できるよう許容するという点を確実にする」とし「米国と協力する国の半導体企業を不必要に強く締めつけることを望まない」と述べた。

半導体技術・装備輸出統制猶予措置が1年単位から事実上無期限に変更され、サムスン電子とSKハイニックスも中国内の半導体工場に対する長期的な投資・運営計画が可能になった。現在、サムスンは中国西安にNAND型フラッシュメモリー工場を運営中であり、SKハイニックスは無錫と大連にそれぞれDRAMとNAND型フラッシュメモリー工場を置いている。半導体業界の関係者は「事業の不確実性が薄れたことに意味がある」とし「長期的な観点で中国工場運営計画を立てることが可能になった」と話した。

とはいえ、中国事業をめぐる不確実性が完全に消えたわけではない。米国は輸出統制猶予とは別に半導体支援法(CHIPS法)を通じて、自国の補助金を受ける企業に向け、今後10年間、中国工場の生産能力拡張をウェハー基準で先端半導体の5%、28ナノ以前の旧型半導体は10%に制限している状態だ。サムスン電子はCHIPS法の適用対象であり、SKハイニックスもこれに含まれることが有力視される。

米国が中国工場に対しては事実上「現状維持」というメッセージを投じただけに、サムスン電子とSKハイニックスの中国工場への大規模投資はしばらく難しいという分析が出ている。成均館大のキム・ヨンソク電子電気工学部教授は「現在のような状況では先端半導体生産の軸をひとまず韓国に移すこと以外に代案はない」と述べた。



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