サムスン電子がメモリー事業で２月に２兆ウォン（約２０００億円）台の営業赤字を出したことが分かった。昨年下半期からの「半導体寒波」で２０年ぶりの最悪の赤字が懸念されている。

中央日報の取材を総合すると、サムスン電子メモリー事業部は今年１、２月に３兆ウォンほどの営業赤字が出ていると推定される。匿名を求めた複数の業界関係者は「サムスン電子の内部で１－３月期にメモリー事業で最大４兆ウォンの損失が出るという報告があったと聞いている」と話した。関係者らは「ファウンドリー（半導体委託生産）で収益が出ているが、まだ規模は小さく、メモリー事業の大規模な赤字をカバーするレベルでない。半導体（ＤＳ）部門で１－３月期に２兆ウォン以上の営業損失が避けられないという声が出ている」と伝えた。

業績の大半をメモリーに依存するＳＫハイニックスはさらに厳しい冬を送っている。市場ではＳＫハイニックスが今年１－３月期に４兆ウォン台の赤字になるという見方もある。昨年１０－１２月期、サムスン電子半導体部門の営業利益は前年同期比９７％減の２７００億ウォンだった。ＳＫハイニックスは１兆７０１２億ウォンの営業赤字を出した。１月の半導体輸出はメモリー半導体の価格下落と需要減少が重なり、前年同期比で４４．５％急減した。


ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの価格は今年に入って下落が続いている。代表的なＤＲＡＭ相場のパソコン用ＤＲＡＭ汎用製品（ＤＤＲ４　８Ｇｂ）の平均固定取引価格は今月１．８１ドルと、４年前（６．７４ドル）に比べて４分の１水準に落ちている。

目の前には暗雲が垂れ込めている。市場調査会社トレンドフォースによると、ＤＲＡＭの価格はさらに今年１－３月期に２０％、４－６月期に１１％下落すると予想される。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーも同じ期間にそれぞれ１０％、３％落ちる見込みだ。ＤＲＡＭ価格は昨年下半期に３４％急落した。

さらに米国がサムスン電子とＳＫハイニックスの中国内メモリー生産・投資に規制を強化するという見方があり、状況は最悪に向かっている。サムスン電子は中国でＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの４０％を、ＳＫハイニックスはＤＲＡＭの５０％、ＮＡＮＤの２０％を生産している。工程転換のタイミングを逃す場合、莫大な損失が避けられない。

サムスン電子では今年１－３月期、２０年来の最悪「アーニングショック（業績衝撃）」が現実化している。サムスン電子がメモリー事業で年間赤字となったのは１９９０年代を除いて２００１年と２００８年だけだ。２００１年１０－１２月期には情報技術（ＩＴ）バブル崩壊後に半導体で２１２０億ウォンの赤字を出した。グローバル金融危機当時の２００８年１０－１２月期には６９００億ウォンの営業赤字となった。

企業別に「酷寒の冬」への対応には差がある。グローバル「ＤＲＡＭ３強構図」で２、３位のＳＫハイニックスと米マイクロンは人為的減産を公式化し、供給縮小の信号を送っている。

ただ、サムスン電子は明確な人為的減産なく正面突破するという戦略だ。中長期の需要に備えて半導体技術競争力と市場支配力を維持するために当面の損失は覚悟するということだ。サムスン電子は今年の設備投資と研究開発投資額を例年水準に維持するという。最近は子会社のサムスンディスプレイから２０兆ウォンを借り入れた。

半導体サイクルが過去より短くなり、人工知能・ビッグデータ・クラウドなど新産業で需要が急増するというのが期待の要素だ。依然としてメモリー半導体は半導体製品別の市場規模でロジック半導体を抑えて最大の比率を占める。

ＳＫグループの崔泰源（チェ・テウォン）会長は２７日（現地時間）、スペイン・バルセロナで開幕した「ＭＷＣ２０２３」で記者らに対し、半導体不況について「サイクルが短くなったため、近いうちに上向くと期待する」と話した。漢陽大の朴在勤（パク・ジェグン）融合電子工学部教授は「次世代ＤＲＡＭ　ＤＤＲ５などゲームチェンジャーが登場するなど従来のメモリー半導体の概念が変わり、さらに拡張される傾向」とし「今は高性能・高容量メモリー開発に死活をかける時期」と述べた。