米国政府高位当局者がサムスン電子とＳＫハイニックスの中国工場で一定技術水準以上の半導体を生産できないように限度を設けることになるだろうと明らかにした。

アラン・エステベス商務次官（産業安全保障担当）は２３日（現地時間）、ワシントンで韓国国際交流財団（ＫＦ）と米シンクタンク「戦略国際問題研究所（ＣＳＩＳ）」の主催で開かれた韓米経済安保フォーラムで、サムスン・ＳＫに対する対中国半導体輸出統制１年の猶予が終了した後どうなるかについて尋ねられ、「中国がどうするかによって変わりうる」としながらも「企業（サムスンとＳＫ）が生産できる半導体水準に限度（ｃａｐ　ｏｎ　ｌｅｖｅｌ）を設定する可能性が高い」と答えた。

エステベス次官はただし、「中国が我々を威嚇する力を構築することを阻止する過程で我々同盟の企業に被害を与えたくない」とし「これに関連して（韓国と）対話を続けている」と話した。


これに先立って昨年１０月、米商務省は昨年１０月、米国企業が中国に１６ナノミリメートル以下のロジックチップ、１８ナノミリメートル以下のＤＲＡＭ、１２８層以上のＮＡＮＤフラッシュを生産する装備・技術を販売する場合、別途の許可を受けるようにする対中半導体輸出統制を発表した。事実上、中国先端半導体生産企業への輸出を禁ずる措置だ。

商務省はサムスンとＳＫハイニックス中国工場の場合、１年間にわたり一時的に装備輸入を包括的に許可したが、韓国は１年の猶予延長を米国側に要求している。