役員昇進に脱落すると、半導体関連の国家的なコア技術を中国に渡した５０代の韓国人が拘束起訴された。

２６日、特許庁技術デザイン特別司法警察（技術警察）と大田（テジョン）地検は半導体のウェハー研磨（ＣＭＰ）関連技術を中国に流出した疑い（産業技術保護法など違反）でＡ氏（５５）ら３人を拘束起訴し、３人は在宅起訴するなど６人を摘発したと発表した。

特許庁によると、韓国大手・中堅企業３社の前現職職員である彼らは、コンピューターや業務用携帯電話で会社内部網に接続し、半導体ウェハー研磨工程図など会社の機密資料を閲覧し、個人の携帯電話で写真を撮影する手口などを通じて資料を流出した疑いが持たれている。


流出資料には半導体のウェハー研磨剤・研磨パッド関連先端技術・営業秘密はもちろん、半導体のウェハー研磨工程関連の国家コア技術・営業秘密まで含まれていた。

主犯であるＡ氏は２０１８年役員昇進に脱落すると、２０１９年６月に中国業者と半導体ウェハー研磨剤（ＣＭＰスラリー）製造事業を同業することに約定した後、会社に引き続き勤務しながらメッセンジャーなどで中国内の研磨剤生産設備の構築・事業を管理していたことが分かった。

Ａ氏は他社所属のＢ氏（５２）、Ｃ氏（４２）、Ｄ氏（３５）など３人をスカウトし、２０１９年９月から中国企業にそれぞれ副社長・チーム長・チーム員級に転職させた。自分も２０２０年５月から社長級に転職して勤めた。

技術警察は昨年３月、国家情報院産業機密保護センターから中国業者に転職した研究員Ｃ・Ｄ氏など２人に対する情報を受けて捜査に乗り出した。

被害企業３社のうち、規模が最も小さい会社の場合、今回の技術流出で１０００億ウォン（約１０５億円）以上の経済的被害が発生した。

Ａ氏が勤めていた会社の場合、流出した資料が中国で本格的に活用される前にＡ氏が拘束され、追加的な経済的被害を遮断することができたと技術警察側は説明した。

技術が流出した３社はＣＭＰスラリー・パッドなど半導体工程素材を製造したり、メモリー半導体を製造したりするＫＯＳＰＩ・コスダック上場企業で、時価総額の合計が６６兆ウォン規模に達する。

検察は最近、Ａ氏など６人を産業技術保護法・不正競争防止法（営業秘密国外漏洩など）違反の疑いなどで全員起訴した。