尹錫悦大統領とバイデン米大統領は２０日、京畿道平沢のサムスン電子半導体工場で、世界で初めて量産予定の３ナノメートルプロセスのウエハーに署名を残した。［写真 大統領室写真記者団］
サムスン電子は今年上半期、ゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）技術を基盤とする３ナノ工程製品を量産し、２０２３年に３ナノ第２世代製品を、２０２５年には２ナノ製品を量産する計画を明らかにした。先月２０日にバイデン米大統領が尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領とサムスン電子平沢（ピョンテク）キャンパスを訪問した当時、サムスンが見せたのが３ナノ半導体ウェハーだ。両国首脳は３ナノ工程のウェハー試作品に署名した。
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