サムスン電子の「３ナノメートル（ｎｍ、１ナノ＝１０億分の１メートル）半導体」量産が秒読み段階に入った。３ナノ工程が適用された半導体を生産して製品として供給するのはサムスンが初めてとなる。サムスン電子は３０日にこれを公式発表するとみられる。

ナノは半導体の回路線幅に使われる単位。ウェハー（薄いシリコン円盤）１枚に誰がより多くの半導体を生産できるかが半導体の価格と性能に大きな影響を与える。超微細工程が重要な理由だ。

サムスン電子は今年上半期、ゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）技術を基盤とする３ナノ工程製品を量産し、２０２３年に３ナノ第２世代製品を、２０２５年には２ナノ製品を量産する計画を明らかにした。先月２０日にバイデン米大統領が尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領とサムスン電子平沢（ピョンテク）キャンパスを訪問した当時、サムスンが見せたのが３ナノ半導体ウェハーだ。両国首脳は３ナノ工程のウェハー試作品に署名した。


最近、李在鎔（イ・ジェヨン）サムスン電子副会長が欧州出張でオランダの半導体装備企業ＡＳＭＬの最高経営陣に会ったのも、サムスンが超微細工程市場の獲得をどれほど重要視しているかを表している。ＡＳＭＬは、メモリー半導体とファウンドリーの微細工程に必要な核心設備である極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を供給する唯一の企業だ。当時、李副会長は出張の帰途に「一に技術、二に技術、三にも技術」という発言をした。

サムスンが今回の３ナノ製品を２０年以上投資・開発してきたＧＡＡ基盤で生産するという点も注目される。現在の半導体工程には立体（３Ｄ）構造工程「ＦｉｎＦＥＴ」技術が使用される。この技術は平面トランジスターより効率が高いが、４ナノ以下の工程では限界を表した。ＧＡＡ技術は電流が流れるチャンネル４面を囲む方式で電流の流れをより細かく制御し、高い電力効率を得ることができる。ＧＡＡが人工知能（ＡＩ）とビッグデータなど高性能・低電力を要求する次世代半導体の核心技術に挙げられる理由だ。

ファウンドリー市場トップ走者の台湾ＴＳＭＣは、今年末から量産予定の３ナノ製品までは従来のＦｉｎＦＥＴ技術を適用し、２０２５年上半期と予想される２ナノ工程からＧＡＡ技術を導入すると明らかにした。業界１・２位が３ナノ工程に導入した技術がＧＡＡとＦｉｎＦＥＴに分かれたのだ。ファウンドリー市場に再参入した米国のインテルも３ナノ工程はＦｉｎＦＥＴを適用し、２ナノ工程からＧＡＡ技術を取り入れる計画だ。

韓国科学技術院（ＫＡＩＳＴ）のキム・ジョンホ電気電子工学部教授は「ＦｉｎＦＥＴでも３ナノ工程を製作できるにもかかわらずＧＡＡを導入したのは、業界トップのＴＳＭＣに追いつくというサムスンの挑戦的な勝負とみることができる」と分析した。ただ、キム教授は収率（正常品の比率）をサムスンが解決すべき課題に挙げた。キム教授は「収率が６０－７０％でも成功」とし「量産しながら収率向上を同時にするのがカギであり、実際に利益が生じる８０－９０％の収率が出るまで相当な時間がかかるだろう」という見方を示した。

３ナノ工程の半導体を供給する顧客の確保も課題だ。品質を信頼できる３ナノ工程の生産量をどの企業がより多く出すかによって大型顧客が動くと予想される。ハイ投資証券のソン・ミョンソプ・アナリストは「従来の構図のようにＴＳＭＣがクアルコムやＡＭＤ、エヌビディアに十分な生産量を供給できない場合、サムスン電子に注文が入る可能性が非常に高い」と話した。