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NANDフラッシュの1000倍の速度…半導体平定に出たサムスン

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版
サムスン電子は9日、最新の独自設計技術と業界唯一の20ナノメートル工程で容量と性能を強化した12GbLPDDR4DRAMを今月から量産すると発表した。モバイルDRAMは主にスマートフォンやタブレットなどで記憶装置の役割をするメモリー半導体だ。また別のメモリー半導体であるNANDフラッシュより1000倍以上速い速度でデータの保存と削除を繰り返し多様な機能を担う。


サムスン電子が今回商用化した12ギガビットモバイルDRAMは昨年12月に量産を始めた8ギガビットDRAMより記憶容量を50%増やした。同時に速度は30%以上高めた4266Mbpsを実現し、最新PC用DRAMより2倍速く、消費電力も20%減らした。




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