ＳＫハイニックスが世界で初めてＤＲＡＭを４段で積み上げた超高速メモリー（ＨＢＭ）を開発した。既存のＤＲＡＭ製品と比較してデータ処理は４倍の速度で、電力消費は４０％ほど減る。京畿道（キョンギド）利川（イチョン）に位置する本社工場で来年下半期から本格的に量産される予定だ。

ＳＫハイニックスはＴＳＶ（シリコン貫通電極）技術を適用したＨＢＭを米国半導体会社であるＡＭＤと共同開発したと２６日に発表した。ＨＢＭは国際半導体標準協議機構（ＪＥＤＥＣ）で標準化を進行中である次世代メモリー半導体製品だ。既存ＤＲＡＭ製品対比性能が高くて容量が大きくなりつつも、電力の消耗がを少なくなるという長所がある。新製品は１．２Ｖ電圧で１ＧＢｐｓの処理速度を出し、合計１０２４個のインターフェイスを持ち、１秒当たり１２８ＧＢのデータ処理が可能だ。現在のメモリー半導体業界で最も性能が良いＧＥＥＲ５（１秒当たりデータ処理２８ＧＢ）より４倍以上速い。

今回の新製品は世界のＤＲＡＭ半導体市場でも画期的な製品になる展望だ。核心は新しく適用したＴＳＶ技術だ。ＴＳＶはいくつかのチップを垂直に貫く電極を形成してチップ間に電気的信号を伝達する方式を使う。これまで、半導体業界ではチップを積み上げるたびにそれぞれのチップをつなぐためにシリコン基板表面に行く線を別々に連結してきた。ＳＫハイニックス関係者は「半導体工程が微細化されるほど、この線の干渉現象が激しくなって製品のサイズも大きくなったが、ＴＳＶ技術を活用してチップを垂直に連結すれば製品のサイズを減らしながらも干渉現象を最小化することができる」と説明した。


新しいＨＢＭは高仕様グラフィック市場を始め、今後サーバー、スーパーコンピュータ、ネットワーク市場に使われる展望だ。ＳＫハイニックスは新しいＨＢＭをひとつのチップに複数搭載し、一つのパッケージを成し遂げる形態（システム・イン・パッケージ）形態で供給するという計画だ。ホン・ソンジュＤＲＡＭ開発本部長（専務）は「ＨＢＭ製品の来年の商用化をスタートに、製品ポートフォリオをより一層強化してメモリー市場での主導権を継続する」とコメントした。