サムスン電子は世界で初めて３次元積層方式を適用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリー（電源が消えても情報が保存されるメモリー半導体）「Ｖ ＮＡＮＤ」の量産を始めたと６日、明らかにした。半導体の構造を３次元立体方式に変えたのだ。線を細くする微細工程の限界と見なされてきた１０ナノメートル（１ナノは１０億分の１）の壁を一気に越えた。
崔定赫（チェ・ジョンヒョク）サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長はこの日、「サムスン電子がメモリー事業を開始してから３０年目、半導体事業の新しいターニングポイントを迎えた」と紹介した。
崔定赫（チェ・ジョンヒョク）サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長はこの日、「サムスン電子がメモリー事業を開始してから３０年目、半導体事業の新しいターニングポイントを迎えた」と紹介した。
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