サムスン電子は２６日、第２四半期の実績発表会で今年の設備投資として２４兆ウォン（役２兆１２００億円）を投じると明らかにした。昨年より１兆ウォン増加した規模だ。特に下半期には上半期（９兆ウォン）より６６％多くの１５兆ウォンを投じる計画だ。サムスン電子側は「市況次第では（投資を）さらに増やす可能性もある」と明らかにした。
投資規模が最も大きい分野は半導体（１３兆ウォン）だ。主に中国西安工場の１０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ工場の新築、工程改善などに使われる。サムスン電子半導体事業部のパク・ジホ常務は「ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリの競争力強化が必要だ」と話した。ディスプレー部門では有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を中心に６兆５０００億ウォンを投じる。
投資規模が最も大きい分野は半導体（１３兆ウォン）だ。主に中国西安工場の１０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ工場の新築、工程改善などに使われる。サムスン電子半導体事業部のパク・ジホ常務は「ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリの競争力強化が必要だ」と話した。ディスプレー部門では有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を中心に６兆５０００億ウォンを投じる。
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