三星電子は、細野秀雄東京工業大教授が発明した高性能薄膜トランジスタ（ＩＧＺＯ ＴＦＴ）の特許ライセンス契約を、研究支援機関の日本科学技術振興機構（ＪＳＴ）と締結したと２１日、明らかにした。
この薄膜トランジスタは水素化アモルファスシリコン（Ｓｉ）で作った従来のアモルファス半導体とは違い、インジウム（Ｉｎ）・ガリウム（Ｇａ）・亜鉛（Ｚｎ）・酸素（Ｏ）を材料にした透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）で、電子移動速度は従来に比べて１０－２０倍速いという。 これをＬＣＤに応用する場合、解像度を１０倍ほど高められると期待されている。
この薄膜トランジスタは水素化アモルファスシリコン（Ｓｉ）で作った従来のアモルファス半導体とは違い、インジウム（Ｉｎ）・ガリウム（Ｇａ）・亜鉛（Ｚｎ）・酸素（Ｏ）を材料にした透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）で、電子移動速度は従来に比べて１０－２０倍速いという。 これをＬＣＤに応用する場合、解像度を１０倍ほど高められると期待されている。
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