본문 바로가기
이전 페이지로 가기 공유하기 주요 서비스 메뉴 열기

「メモリー超格差は続く」サムスン電子、EUVに適用した14ナノDRAM量産へ

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版

サムスン電子がEUV技術と14ナノ工程を適用して量産したDDR5 DRAM。[写真 サムスン電子]

サムスン電子が極端紫外線(EUV)工程を適用した業界最小線幅の14ナノDRAM量産に入った。競争社よりも先を行く工程技術を導入して「メモリー超格差」を維持する戦略とみられる。

サムスン電子はEUV露光装置を使った14ナノDRAMの量産を始めたと12日、明らかにした。サムスン電子はこれまで主に15ナノ工程でDRAMを量産してきた。これに先立ち、サムスンは4-6月期の実績発表カンファレンスコールで「下半期には14ナノDRAMの5つのレイヤー(層)にEUV工程を適用する」と明らかにしたことがある。サムスン電子メモリー事業部副社長のハン・ジンマン氏は「14ナノDRAMにEUVを適用して原価競争力を確保することができると考える」と自信をのぞかせた。

半導体は回路の線幅が狭いほどウェハー1枚から作ることができる製品の数量が増える。それだけ原価競争力と生産性が高まり、半導体の性能と電力効率性は改善される。加えて半導体回路をさらに細かく実現できるEUV露光技術を適用すれば半導体の収率が向上する。

サムスン電子によると、EUV工程が適用されたサムスン電子14ナノDRAMは業界最高のウェハー集積度で以前の世代に比べて生産性が約20%向上した。また、消費電力は以前の工程に比べて約20%改善された。

サムスン電子は今回の新規工程を最新DDR5 DRAMからまず適用する。次世代DRAM規格であるDDR5は以前のDDR4に比べて2倍以上の速度を誇る。最近、データセンターやスーパーコンピュータ、企業用サーバー市場などで高性能DDR5に対する需要が高まっている。

サムスン電子は14ナノ工程と高い成熟度のEUV工程技術力をベースに差別化した性能と安定した収率を実現して、DDR5 DRAM大衆化を先導するという戦略だ。

サムスン電子メモリー事業部DRAM開発室長(専務)のイ・ジュヨン氏は「サムスン電子は過去30年間、絶え間ない技術革新を通じて半導体微細工程の限界を克服してきた」とし「高容量・高性能だけでなく、高い生産性で5世代(5G)と人工知能(AI)・メタバースなどビッグデータ時代に必要な最高のメモリーソリューションを供給していく」と話した。

関連記事

この記事を読んで…

経済 記事

포토뷰어

最新記事

    もっと見る 0 / 0
    top 메뉴

    공유하기

    팝업닫기