サムスン電子の18ナノ級DRAM技術を中国の長鑫存儲（CXMT）に流出させ、使用した容疑で起訴されたサムスン電子出身のチョン被告（56）が、控訴審で懲役5年を言い渡された。一審の懲役7年から刑期が2年短縮された。

ソウル高裁は22日、産業技術流出などの容疑で拘束起訴されたチョン被告に懲役5年を言い渡した。チョン被告はサムスン電子に勤務した後、2016年にCXMTに転職し、設備投資業務を担当しながらサムスン電子の18ナノ級DRAM関連技術を活用した容疑で起訴された。


裁判所は「被告がサムスン電子の国家核心技術を流出させ、国家レベルの産業競争力に重大な脅威をもたらしただけに、非難されるべき度合いは非常に大きく、生じた結果に相応する責任を負わなければならない」と述べた。


ただし、チョン被告がCXMT勤務当時、いわゆる「合肥プロジェクト」の設備投資情報を取りまとめたものの、半導体開発業務には直接関与していなかった点などを減刑理由に挙げた。チョン被告が別のCXMT技術流出事件に証人として出廷し、実体的真実の解明に協力している点も考慮した。裁判所はこれらを総合し、「一審の懲役7年は不当な面がある」と説明した。

捜査過程では、チョン被告がCXMTから契約インセンティブやストックオプションなどを含め、6年間で約29億ウォン（現レートで約3億4400万円）を受け取っていた事実も把握された。チョン被告らが活用したサムスン電子の18ナノ工程レシピ（PRP・Process Recipe Plan）は、サムスン電子の工程設計（PA）エンジニア出身のパク氏が2016年9月、ノート12枚に手書きで書き写して持ち出したことが調査で分かった。パク氏は現在、国際刑事警察機構（ICPO）を通じて国際指名手配（赤手配）されている。

一審まで容疑を否認していたチョン被告は、控訴審で立場を変え、起訴事実全般を認めた。先月9日には法廷で初めて公に謝罪した。裁判所に提出した反省文には「サムスン電子が今回の事件の最大の被害者」とし、「率直に自白することが再発防止にも役立つと考えた」と記した。

控訴審では、CXMTの経営陣がサムスン電子の技術を持ち出すよう直接圧力をかけたという供述も行った。中央日報が入手したチョン被告の供述書によると、デービッド・ワン（王寧国）元CXMT最高経営責任者（CEO）は2016年10～12月、チョン被告をはじめとする韓国人社員らを呼び、サムスン電子の工程レシピと設備情報を持ってくるよう要求した。

チョン被告は、ワン元CEOが当時「お前たちが持っているサムスン電子の工程レシピと設備情報をすべて持ってこい。持ってこなければ韓国政府に告発する。本物のサムスン電子の情報かどうか確認できる人脈があるので、うそをついてごまかそうと思うな」という趣旨で圧力をかけたと供述した。チョン被告は当時の状況について「恐怖そのものだった」と述べた。

CXMTに転職した他のサムスン電子出身者に対する裁判も続いている。CXMTの第2期開発室長を務めたサムスン電子常務出身のヤン氏と8大工程チーム長らは現在、一審の裁判を受けている。チョン被告とともにCXMTに移り、第1期開発室長を務めたキム氏は今年4月、差し戻し審で懲役6年4月と罰金2億ウォンを言い渡された。