SKハイニックスは、人工知能（AI）産業の核心要素である先端高帯域幅メモリ（HBM）を米国で年間数十万枚生産する予定だ。これまで米国で生産されたことのないHBMが、韓国企業によって初めて製造されることになる。

SKハイニックスは27日（現地時間）に米インディアナ州ウェストラファイエットで次世代HBMアドバンストパッケージング工場（ファブ）の起工式を行った。


SKハイニックスが米国で建設する初の生産拠点として、2028年10月にクリーンルーム（パッケージングが行われる空間）を完成させ、翌年下半期からHBMの量産を目指す。これにより、エヌビディアをはじめとする米国のビッグテック企業がSKハイニックスの『メイド・イン・USA』のHBMを使用することになる。


起工式に出席したクァク・ノジョンSKハイニックス代表取締役社長は、インディアナ工場のHBM生産能力は年間数十万枚になると述べた。毎年この工場でDRAMウェハー数十万枚を基に後工程を通じてHBMを製造するという意味だ。現在業界で知られているSKハイニックスのDRAM生産量は年間600万枚規模で、その一部がHBMに使用されている。

クァク社長は「インディアナ・プロジェクトは、米国初のHBM生産拠点を構築すること」と述べ、「メイド・イン・USAのHBMを初めて供給する重要拠点で、米国の半導体サプライチェーンを強化し、経済・安全保障に貢献する主要な基盤となる」と語った。

AI技術の覇権を維持しようとする米国が自国で製造されたHBMを使用してAIアクセラレーターを開発するという点で、「米国製」を強調するトランプ政権の政策基調に合致する発言と見られる。

SKハイニックスはインディアナ工場の建設に40億ドル（約6377億円）を投資する。米国政府は半導体法（Chips Act）に基づき、最大4億5000万ドルの助成金と5億ドルの融資を提供する。

インディアナ・ファブは、韓国で生産されたDRAMチップを束ねたり積み上げたりしてHBMを製造するアドバンストパッケージング（後工程）と、次世代HBMの研究開発（R&D）を並行して行っている。

SKハイニックスは、次世代の第7世代（HBM4E）HBMの開発とテストのため、エンジニアリング分野で実績が認められる米国パデュー大学と共同でR&D強化に関する覚書（MOU）を締結した。これにより、パデュー大学の優秀な人材を確保する計画だ。

ファブが本格稼働すれば、約1000人規模の人材が働くことになる予定だ。ファブの建設・運営人員と100以上の協力素材・部品・設備のサプライチェーンを考慮すると、約7000人の直接・間接的な雇用創出が期待されるとクァク社長は説明した。