サムスン電子メモリー事業部でNAND型フラッシュの核心設計を担っていた人材がSKハイニックスへ転職したことをめぐり、裁判所が1年6カ月間の転職禁止を命じる決定を下した。

13日、韓国法曹関係者によると、水原地裁民事31部（シン・ウジョン部長判事）は9日、サムスン電子が元社員Aさんら2人を相手取って申し立てた転職禁止の仮処分を一部認めた。


裁判所は、Aさんらに対し、退職から1年6カ月となる2027年4月30日までSKハイニックスおよび系列会社に就職したり、顧問などの形で労務を提供したりしてはならないと決定した。また、転職禁止義務に違反した場合、1日当たり500万ウォン（約53万円）をサムスン電子に支払うよう命じる間接強制も併せて命じた。


Aさんらはサムスン電子メモリー事業部で10～11年間勤務した中間管理職で、NAND型フラッシュの核心設計を担当していた。2人は昨年10月に退職し、今年2月にSKハイニックスへ転職した。

今回の争点は、入社時に締結した「退職後2年間は競合他社へ就職しない」とする競業避止契約の効力がどこまで認められるかだった。

近年、裁判所は職業選択の自由を重視し、企業による競業避止請求を厳格に判断する傾向を示してきた。しかし、今回の事件では国家中核技術の保護の必要性を認め、サムスン電子側の主張を受け入れた。

裁判所は、NAND型フラッシュ設計技術が国家中核技術および国家先端戦略技術に該当し、Aさんらが次世代製品の設計方針や開発日程などの重要情報を取り扱っていたことを認定した。また、サムスン電子が2人を重要人材として別途管理していたことや、進学などを理由に転職の事実を隠したまま退職したことも考慮した。

裁判所は、「該当技術は国家核心技術または国家先端戦略技術に該当し、保護すべき価値は一層大きい」とした上で、「競合他社に技術が流出すれば、同等レベルの技術を確保するまでの期間が短縮される一方、サムスン電子には相当な競争力の損失が生じ得る」と指摘した。

さらに、「半導体分野の競争が激化する中、公正な市場経済秩序を確立する必要がある」とし、「競業避止契約が職業選択の自由を一定程度制限するとしても、その事情だけで契約の効力を否定することはできない」と判断した。

ただし、サムスン電子が求めた2年間の転職禁止期間については、「職業選択の自由を過度に制限する恐れがある」として、1年6カ月に短縮した。