サムスン電子の李在鎔会長が昨年12月にサムスン電子器興キャンパスの先端複合半導体研究開発センターであるNRD-Kクリーンルーム施設を視察している。[写真 サムスン電子]
サムスン電子は次世代人工知能(AI)メモリーである第7世代広帯域メモリー(HBM4E)を初めて公開しエヌビディアとの協力拡大に出た。16日から19日まで次世代HBM4E技術とAIメモリーのトータルソリューションを発表すると明らかにした。
今回の行事でサムスン電子はHBM4Eの実物とコアダイウエハーを初めて公開した。この製品はデータが移動する通路であるピン1個当たり最大16Gbpsの転送速度を持つ。同時に処理できるデータ量は1秒当たり4テラバイトに達し、大規模AI演算に必要なデータを速やかに処理できる。
HBMはAIアクセラレータの性能を左右する重要メモリーで、エヌビディアのグラフィック処理装置(GPU)とともにAIデータセンターの性能を決める主要部品だ。サムスン電子はメモリー、ロジック設計、ファウンドリー、先端パッケージング技術を結合したトータルソリューションを通じて次世代HBM市場での競争力を強化する戦略だ。
サムスン電子は今回の展示で次世代パッケージング技術であるハイブリッド銅ボンディング(HCB)も公開した。従来のサーマルコンプレッションボンディング(TCB)方式より熱抵抗を20%以上減らし、16層以上の高積層が可能な技術だ。
サムスン電子はエヌビディアの次世代AIプラットフォーム「ベラルビン」を具現するメモリーソリューションを前面に出した。ルビンはエヌビディアが次世代AIデータセンター用として開発中のグラフィック処理装置(GPU)プラットフォームだ。サムスン電子はルビンGPU用HBM4、サーバー用メモリーモジュールSOCAMM2、データ保存装置のSSD PM1763などをともに展示し、AIサーバーに必要なメモリーとストレージをいずれも供給できる能力を強調した。
SOCAMM2は低電力メモリーであるLPDDR基盤サーバー用メモリーモジュールで、最近業界で初めて量産を始めた。PCIe Gen6基盤サーバー用SSD PM1763はルビンプラットフォームでデータ保存装置として活用される予定だ。
サムスン電子は展示空間を、AIデータセンターを意味する「AI Factories」、オンデバイスAIを意味する「Local AI」、ロボット・自律システムを意味する「Physical AI」の3つのゾーンで構成し、GDDR7やLPDDR6など次世代メモリー技術もともに紹介した。
行事2日目の17日にはエヌビディアの招請でサムスン電子AIセンター長のソン・ヨンホ氏が発表者としてAIインフラ革新に向けたサムスンのメモリーソリューション戦略を説明する予定だ。
サムスン電子は今回の展示を通じエヌビディアとの協力がメモリー供給を超え次世代AIインフラ全般に拡大していることを見せる計画だ。
SKハイニックスも今回のGTCに参加してAIメモリー技術を披露する。同社はAIメモリーを主題に展示スペースを構成し関連技術とソリューションを紹介する。同社は「AI学習と推論分野でデータボトルネックを最小化して性能を最大化できるメモリー製品をエヌビディアのAIインフラに搭載した。今回の行事を通じてエヌビディアとのパートナーシップをベースにAI時代の核心インフラであるメモリー技術競争力を見せたい」と話した。
展示館はエヌビディア協力ゾーン、製品ポートフォリオゾーン、イベントゾーンなどで構成され、観覧客がAIメモリー技術を直感的に理解できるよう体験型コンテンツを中心に運営される。
一方SKハイニックスは今回のGTC期間中に世界のAI産業の流れに合わせた協力方向を模索する。SKグループの崔泰源(チェ・テウォン)会長とSKハイニックスの郭魯正(クァク・ノジョン)CEOら主要経営陣は世界のビッグテックと会いAI技術発展とインフラ構造変化について意見を交わす予定だ。技術セッションではAI基盤製造業の発展方向と高性能AI実現に向けたメモリー技術の役割も紹介する計画だ。
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