サムスン電子は、人工知能（AI）半導体の核心部品となる第6世代高帯域幅メモリ（HBM4）を世界で初めて量産出荷した。前世代のHBM競争でSKハイニックスに主導権を奪われたサムスン電子が、次世代製品ではスピードを前面に出して反撃に出た。

サムスン電子は12日、業界最高性能のHBM4を出荷したと発表した。当初はソル（旧正月）連休直後に予定されていたスケジュールを、顧客企業との協議を経て約1週間前倒しした。業界では「サムスン電子がHBM3E（5世代）でSKハイニックスに押されていた流れをHBM4で取り戻そうとする意志を反映したもの」との見方が出ている。


サムスン電子の今回のHBM4は、国際半導体標準協会（JEDEC）の標準（8Gbps）を約46％上回る11．7Gbps（ギガビット毎秒）の動作速度を実現した。前作のHBM3E（9.6Gbps）に比べて約1．22倍の速度の水準だ。サムスンは最大13Gbpsまで実現できると説明した。 AIモデルが大型化するほど深刻化するデータのボトルネックを解消することに焦点を当てた。


単一スタックあたりのメモリ帯域幅は最大3.3TB／s（テラバイト／秒）で、前作に比べ約2．7倍向上した。顧客の要求レベル（3.0TB／s）を上回る。

技術的差別化の核心はプロセスだ。サムスン電子は10ナノ級の6世代（1c）DRAMを先行して導入し、HBMの頭脳にあたるベースダイに基準4ナノプロセスを適用した。メモリとファウンドリの両方を手掛けるサムスンの事業構造を活用した。その結果、エネルギー効率は前世代に比べ約40％向上し、熱抵抗と放熱特性もそれぞれ約10％、30％改善されたと説明されている。

ファン・サンジュン・サムスン電子メモリ開発担当副社長は「従来の検証済みプロセスを適用していた前例を破り、1c DRAMやファウンドリ4ナノなど最先端プロセスを導入することで、顧客の性能向上要求に適時に対応できた」と語った。

サムスン電子は次世代製品のロードマップも具体化した。2026年下半期にHBM4E（第7世代）のサンプルを出荷する計画で、2027年からは顧客向けカスタマイズHBMも順次サンプリングする。AIアクセラレータとグラフィック処理装置（GPU）アーキテクチャに合わせて、容量・速度・電力特性・インターフェースを個別に設計し、性能効率を最大化するという戦略だ。業界では、AI半導体が顧客向けのカスタマイズ構造へと進化する流れを踏まえ、カスタムHBMの比率が徐々に拡大すると見ている。

サムスン電子はHBM4の量産を契機に、今年のHBM売上が前年比で3倍以上に増えると見込んでいる。それに合わせて生産能力の拡大にもスピードを上げている。2028年に本格稼働する平沢（ピョンテク）事業所の2段階5ラインをHBM中心の生産拠点とし、中長期的な需要拡大局面で安定した供給能力を確保するという戦略だ。

ソン・ジェヒョク・サムスン電子デバイスソリューション（DS）部門最高技術責任者（CTO・社長）は、前日に開催された「セミコンコリア2026」で「HBM4は技術において最高だ。顧客の反応も非常に満足している」とし、「次世代HBM4E、HBM5でも業界1位になれるよう技術を準備している」と述べた。嘉泉（カチョン）大学のキム・ヨンソク半導体学碩座教授は「サムスン電子が『世界初』という表現を前面に出したのはかなり異例のこと」とし、「HBM市場での失敗に対する危機感がそれだけ大きかった証拠だ」と分析した。続けて「これ以上遅れを取らないという決意で、HBM4はもちろん、今後のAIメモリ市場まで主導するという強いメッセージを発信した」と評価した。