メモリー超好況期の中で中国の動きが尋常ではない。下半期に入り、中国の韓国製メモリー半導体の輸入量が急増し、中国のメモリー企業も最先端製品の技術力を引き上げ、「メモリースーパサイクル」に乗ろうとしているところだ。

13日、韓国貿易協会の輸出統計によると、今年7〜9月までの韓国の対中メモリー半導体輸出額は78億7606万ドル（約1兆2170億円）で、昨年同期比で約2兆ウォン、20％ほど増えた。上半期だけを見ると、4月を除いて毎月輸出額は前年同期比2〜28％減少していたが、下半期に入り上昇に転じた。8月は33．2％で、最も大きく増えた。重量ベースで見ると約60％増加したことが分かった。昨年も中国はドナルド・トランプ米国大統領の就任時に制裁強化を懸念しメモリーを大量輸入したが、今年はそれ以上に輸入量が増えている。


◇中国はなぜDDR5を大量買いするのか


中国のメモリー需要増加はトランプ氏の影響が大きい。トランプ政府は米国企業はもちろん、同盟国企業も中国に最先端チップを輸出できないよう制裁している。これに対して中国も反撃中だ。中国政府は最近、完工率30％未満のデータセンターに設置されたすべての外国製チップを撤去するか購入計画を取り消すよう命じた。中国経済金融研究所のチョン・ビョンソ所長は「外国製GPU（グラフィック処理装置）を使えない中国は、自国企業が作ったAIチップの使用を増やしている」とし「GPUだけでなく最先端高帯域幅メモリー（HBM）も輸入できない中国は、HBMの代わりに中国製チップにDDR5を搭載し、GPUを代替している」と説明した。DDR5はデータ処理速度を高めたDRAMだ。

チョン氏によると、中国ファーウェイ（華為）は9月に自社の技術カンファレンスで、HBMなしでDDR5だけを搭載しながらもエヌビディア（NVIDIA）のA100チップに匹敵する性能を出す「Ascend 910b」チップを発表した。昨年はメモリーとしてHBMを搭載したアセンド（Ascend） 910Bを発表したが、今回はHBMをDDR5に変えた。極端紫外線（EUV）露光装置なしに深紫外線（DUV）装置で7ナノメートル（10億分の1メートル）半導体を作った中国が、今回も「歯がなければ歯茎で」精神で米国のHBM輸出統制を克服しているという。

チョン氏は「AIチップでHBMを代替するにはDDR5が大量に必要なため、中国でDDR5需要が最近急増している」とし「AIブームで全世界のメモリー需要が爆発的に増えている中で中国まで加勢し、メモリースーパサイクルはさらに強力になった」と述べた。すでに満杯のコップに中国が水一滴を落としてコップが溢れ出す『一滴効果』が起きたというわけだ。

◇中国、メモリー国産化の動きも加速

さらに注目すべき部分は、中国のメモリー国産化の速度だ。中国CXMTは昨年末にDDR5の商用化に成功し、今年は歩留まり（良品率）を高めている。ある半導体業界関係者は「CXMTのシェアが拡大すればDDR5価格が暴落するという見方が出るほど、CXMTは恐ろしい勢いで成長している」とし「最近DDR5価格が上がっているため、中国のメモリー進化が大きく目立っていないだけ」と話した。

CXMTの目標はHBMだ。最近ではファーウェイにHBM3のサンプル供給も始めた。成均館（ソンギュングァン）大学化学工学科のクォン・ソクジュン教授は「今後、中国はメモリー供給量を増やし、技術世代交代にさらに多くの投資を行うだろう」とし「中国企業が韓国レベルのHBM3を量産する時期は想定よりもはるかに早まる」と予測した。カウンターポイント・リサーチによると、世界DRAM市場でのCXMTのシェアは2025年の7％から2027年には10％まで成長すると予想されている。