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SKハイニックス、世界初「HBM4」開発完了…量産体制構築

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版

SKハイニックスが第6世代高帯域幅メモリー「HBM4」の開発を完了した。 [写真 SKハイニックス]

SKハイニックスが第6世代高帯域幅メモリー(HBM) 「HBM4」の開発を完了し、量産体制を世界で初めて構築したと12日、明らかにした。

HBMは複数のDRAMを垂直に積み重ねてデータ処理速度を高めたメモリー半導体。グラフィック処理装置(GPU)に付着され、GPUと共に人工知能(AI)加速演算の必需品に挙げられる。


エヌビディアはHBM4を来年発売する次世代GPUに搭載する計画だ。エヌビディアの主なHBM供給企業であるSKハイニックスはHBM4を顧客と協議しながら開発し、現在、多様な顧客と認証手続きを進行中という。


HBM4はデータ伝送通路(I/O)を2048個と前世代の倍に増やしたほか、帯域幅も倍に拡大し、電力効率は40%以上高めたというのが会社側の説明だ。SKハイニックスHBM4の動作速度は10Gbps(1秒あたり10ギガビット)以上で、国際半導体標準協議機構(JEDEC)が指定した標準動作速度(8Gbps)を上回る。HBM4を導入すればAIサービス性能を最大69%まで向上させることが可能で、データセンター電力費用も大幅に抑えられる見込みだ。

SKハイニックスのチョ・ジュファンHBM開発担当副社長は「顧客が要求する性能、エネルギー効率、信頼性をすべて満たす製品を適時に供給してAIメモリー市場での競争優位を確保し、迅速な市場進入を実現したい」と述べた。

SKハイニックスはHBM4の開発に前世代(HBM3E)にも適用したパッケージング方式「MR-MUF(Mass Reflow-Molded Underfill)」を改善した「Advanced MR-MUF」方式を使用した。MR-MUFはDRAMを上に積み重ねる際に間に液体形態の保護材を注入して固める方式で、熱を効果的に放出し、チップが曲がる現象を制御するなどSKハイニックスHBMの性能を高める核心技術として知られている。また10ナノ級第5世代(1bnm)DRAM技術を適用し、量産過程の不安要素を最小化したという説明だ。

SKハイニックスのキム・ジュソンAIインフラ社長は「今回世界で初めて量産体制構築を公式発表したHBM4はAI時代の技術の難題を解決する核心製品」とし「時代が要求する最高品質と多様な性能のメモリーを適時に供給し『フルスタックAIメモリー供給企業』に成長していく」と話した。



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