米国メモリー半導体メーカーのマイクロン（Ｍｉｃｒｏｎ）が第６世代高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）　「ＨＢＭ４」のサンプルを主要な顧客に供給した。ＨＢＭフロントランナーであるＳＫハイニックスがサンプルを出荷した時点とわずか３カ月差で、サムスン電子よりも先に試作品の生産に成功した。

１０日（現地時間）、マイクロンは３６ギガバイト（ＧＢ）容量の１２層ＨＢＭ４を多数の顧客に出荷したと明らかにした。マイクロンはＨＢＭ４を１０ナノ級第５世代（１ｂ）ＤＲＡＭを積み上げて製造し、以前の世代であるＨＢＭ３Ｅ（第５世代）よりも性能と電力効率がそれぞれ６０％、２０％以上改善されたと説明した。マイクロンは「今回のサンプル出荷を通じてマイクロンは人工知能（ＡＩ）アプリケーションのためのメモリー性能および電力と効率性分野で先導的な足場をより一層強く固めることになった」と明らかにした。


昨年６月「来年上半期ＨＢＭ４サンプルを出荷する予定」と明らかにしたマイクロンが既存のロードマップ通りに製品開発を順調に進めたと分析される。マイクロンは顧客の名前を明らかにしなかったが、業界ではＨＢＭの主要需要先であるエヌビディア（ＮＶＩＤＩＡ）などが含まれたとみている。


マイクロンの躍進は韓国半導体企業に緊張をもたらしている。ＳＫハイニックスは今年３月エヌビディアなど主要な顧客にＨＢＭ４サンプルを供給した。マイクロンが３カ月差で追撃していることから、フロントランナーとして格差を維持しなければならないという課題を抱えることになった。ＳＫハイニックスは今年下半期のＨＢＭ４量産を目指していて、ロードマップ上ではマイクロンを一歩リードする形となった。

サムスン電子は前を走る２社を後ろから追わなければならない状況だ。マイクロンは以前の世代である「ＨＢＭ３Ｅ」８層と１２層でもサムスンより先にエヌビディアのクォルテストを通過した。問題はＨＢＭでの成果が全体ＤＲＡＭ市場シェアにも影響を与えているということだ。

市場調査会社のオムディア（Ｏｍｄｉａ）によると、今年１－３月期全世界ＤＲＡＭ市場でＳＫハイニックスは３６．９％のシェアでサムスン電子（３４．４％）を追い抜いて１位を占め、マイクロンは前四半期比シェアが３％ポイント上昇した２５％を記録して３位に位置した。これに先立ち、市場シェアを発表したトレンドフォース（ＴｒｅｎｄＦｏｒｃｅ）とカウンターポイントリサーチ（Ｃｏｕｎｔｅｒｐｏｉｎｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ）でも共にＳＫハイニックスが初めてＤＲＡＭ市場シェアでサムスン電子をおさえて１位を占めたと集計した。業界ではＨＢＭ競争力がＤＲＡＭ市場の核心支配力になる傾向がＨＢＭ４でもっと大きくなると展望する。

サムスン電子は業界で初めて１０ナノ級第６世代（１ｃ）ＤＲＡＭを活用してＨＢＭ４を設計する。サムスン電子は年内ＨＢＭ４量産を計画しているという。