ＳＫハイニックスが世界最高層である３２１層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを基盤としたモバイル用メモリー新製品を公開した。ＮＡＮＤはデータを入れるセルを垂直に複数層重ねて保存容量を増やす技術が核心だが、積層数が高まるほどより多くのデータを保存することができる。３２１層ＮＡＮＤを搭載した今回の製品は超スリムプレミアムスマートフォンに搭載することができるように厚さを１５％減らすと同時に、電力消耗は低くして性能を向上させた。

２２日ＳＫハイニックスは３２１層１Ｔｂ（テラビット）ＮＡＮＤを適用したモバイル用保存装置「ＵＦＳ　４．１」を開発したと明らかにした。以前の世代である２３８層ＮＡＮＤ基板の製品より電力効率が７％改善され、ランダム読み込み・書き出し速度はそれぞれ１５％、４０％向上した。


ＳＫハイニックスは「モバイルでオンデバイス（Ｏｎ－ｄｅｖｉｃｅ）人工知能（ＡＩ）を安定的に実現するには搭載されるメモリー製品も高性能と低電力の特性を備えなければならない」として開発背景を説明した。オンデバイスＡＩはサーバーやクラウドを経ないでモバイル機器自体でＡＩ機能を遂行する技術で、機器の演算性能とバッテリー効率間のバランスが核心だ。製品の厚さは従来の１ミリから０．８５ミリに減らした。最近主要スマートフォンメーカーが超スリムフォン競争に突入し、このような流れに歩調を合わせてメモリー製品もスリム化に動いた。


今回の製品は５１２ＧＢ（ギガバイト）、１ＴＢ（テラバイト）の２種類のバージョンで開発された。ＳＫハイニックスは年内に顧客社に製品を提供して認証を進めた後、来年１－３月期から本格的な量産に入る計画だ。