「外部ではＳＫハイニックスに遅れを取ったと大騒ぎしているが、後ろから急激に追い上げてくる中国半導体企業がより大きな脅威だ」。

半導体業界によると、最近のサムスン半導体内部会議でこうした警告が何度か出ているという。「高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）のような技術リーダーシップも重要だが、今は中国半導体が問題」ということだ。中国メモリーの市場進入による衝撃が予想以上に大きいことが明らかになり、サムスン内部でも関連問題とその対応が集中的に議論されたという。危機を迎えているサムスン電子に「中国メモリー空襲」が本格化しているということだ。サムスン電子はこの日の株式市場で前日比２．３２％下落した５万８９００ウォンで取引を終え、１年７カ月ぶりに終値基準で６万ウォンを割った。

米中対立の中で技術の蓄積に注力してきた中国メモリー半導体企業は今年から「使える旧型チップ」を大量に出し、サムスンが圧倒してきた市場を蚕食し始めた。


モルガン・スタンレーは７日の報告書で「中国最大メモリー企業の長鑫メモリーテクノロジー（ＣＸＭＴ）が今年初めてグローバルＤＲＡＭ生産量の１０％以上を占める」とし「現在の傾向なら２０２６年に米マイクロンの生産量まで追い越す」と予想した。マイクロンはサムスン電子、ＳＫハイニックスと共に全世界メモリー市場を３等分している。

ＣＸＭＴの主力チップは主にスマートフォンやノートブックに使用される低電力ＤＲＡＭのＬＰＤＤＲ４ＸとＰＣ用ＤＤＲ４など国内半導体業界でレガシー（旧型）に分類される製品だが、最近は新型ＤＤＲ５まで出すなど技術レベルを高めている。別の半導体業界関係者は「ＣＸＭＴの内部にサムスン電子・ＳＫハイニックス出身のエンジニアが３けた以上いるというのは業界の公然の秘密」と話した。

８日に市場の期待値を下回る７－９月期の業績（暫定値）を出したサムスン電子の「アーニングショック」の裏にもＣＸＭＴと中国ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー企業の長江メモリーテクノロジー（ＹＭＴＣ）がある。サムスン電子は実績発表当日、異例にも「中国メモリー企業の旧型製品供給増加で業績が悪化した」と別途の説明資料を出した。

兆ウォン単位の赤字を出しながら危機の根源に挙げられたサムスンのファウンドリー（半導体委託生産）事業部の業績とは別に、メモリー事業部のＤＲＡＭ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー関連業績までが当初の予想より低調だった。中国企業が本格的な減産なくメモリーチップを生産し、市場でＤＲＡＭ価格上昇がストップしたからだ。現代車証券のノ・グンチャン・リサーチセンター長は「最近のＤＤＲ４価格の急落は中国ＣＸＭＴの生産量増加が主な原因」と分析した。

何よりもサムスン電子・ＳＫハイニックスのメモリー半導体を事実上全量輸入していた中国電子業界が自国企業の半導体を使用し始め、市場シェアも急速に減少している。ＨＢＭ・ＤＤＲ５など最新技術力が集約されたメモリーチップが最近注目されているが、依然として全体メモリー市場で旧型チップが占める比率は半分以上だ。

半導体業界の関係者は「中国の技術自立達成後に大きな打撃を受けた造船・石油化学産業と同じ道を歩まないか懸念される」とし「技術超格差で距離を広げる道のほかにサムスンに与えられた選択肢はない」と話した。