サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）会長がドイツの世界的光学企業カールツァイスと半導体協力拡大案を協議した。先端半導体競争力を強化するため世界的協力体制にスピードを出すとみられる。

サムスン電子は２８日、李会長が２６日にドイツのオーバーコッヘンにあるカールツァイス本社を訪問し、同社のカール・ランプレヒト最高経営責任者（ＣＥＯ）ら経営陣に会ったと明らかにした。この日の会合にはＡＳＭＬのクリストフ・フーケ新ＣＥＯも同席して目を引いた。２４日にＡＳＭＬのＣＥＯに就任してすぐドイツに来て李会長と会ったのだ。

李会長は半導体核心技術トレンドと両社の中長期技術ロードマップについて話し合い、カールツァイスの工場を訪問して最新の半導体部品・装備が生産される様子を直接視察した。今回の訪問にはデバイスソリューション（ＤＳ）部門のソン・ジェヒョク最高技術責任者（ＣＴＯ）とナム・ソクウＤＳ部門製造＆技術担当社長らサムスン電子で半導体生産技術を総括する経営陣が同行した。


カールツァイスは先端半導体生産に必須である極端紫外線（ＥＵＶ）技術と関連した核心特許２０００件以上を保有し、世界１位の半導体露光装備企業であるオランダＡＳＭＬのＥＵＶ装備に搭載される光学システムを独占供給している。ＥＵＶ装備１台に使われるカールツァイスの部品は３万個以上だ。

現在のファウンドリー（半導体委託生産）市場では世界１位のＴＳＭＣとサムスン電子、インテルの超微細プロセス競争が激しさを増している。これを受けカールツァイスのような技術力のある企業との協力がさらに重要になる状況だ。市場調査機関オムディアは今後３ナノ以下市場の成長率が年平均６４．８％で、全ファウンドリー市場成長率の年平均１３．８％を大きく上回ると予想する。サムスン電子はＥＵＶプロセス技術力を基にファウンドリー市場で３ナノ以下の超微細プロセス市場を主導し、年内にＥＵＶプロセスを適用して第６世代１０ナノ級ＤＲＡＭを量産する計画だ。

サムスン電子とカールツァイスはファウンドリーとメモリー事業競争力を強化するため今後ＥＵＶ技術と先端半導体装備分野で協力を拡大することにした。サムスン電子はこれを通じて次世代半導体の性能改善と生産プロセス最適化、歩留まり向上を期待する。カールツァイスは２０２６年までに４８０億ウォンを投資して韓国に研究開発センターを構築する予定で、両社の戦略的協力は今後さらに強化される見通しだ。