マイクロンはサムスン電子だけでなくSKハイニックスと比較しても売り上げや生産能力で大きく劣る「万年メモリーナンバー3」だった。マイクロンはメモリービッグ3のうち唯一先端DRAM工程に必須の極端紫外線(EUV)露光装備を備えていなかった。
これまでは3ナノメートル(1ナノメートル=10億分の1メートル)以下の最先端工程競争に入り込んだシステム半導体で主にEUVを使ってきた。だがメモリー半導体業界でもEUV工程が当然視される雰囲気だ。サムスンとSKハイニックスは平沢(ピョンテク)と利川(イチョン)工場ですでに最新型DRAM生産にEUV工程を使っている。マイクロンがEUV装備なしでHBM3Eを量産するには工程効率の側面で大きな損害を甘受しなければならない。生産コストが大きく上がるという意味だ。
これまでは3ナノメートル(1ナノメートル=10億分の1メートル)以下の最先端工程競争に入り込んだシステム半導体で主にEUVを使ってきた。だがメモリー半導体業界でもEUV工程が当然視される雰囲気だ。サムスンとSKハイニックスは平沢(ピョンテク)と利川(イチョン)工場ですでに最新型DRAM生産にEUV工程を使っている。マイクロンがEUV装備なしでHBM3Eを量産するには工程効率の側面で大きな損害を甘受しなければならない。生産コストが大きく上がるという意味だ。
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