サムスン電子が開発した半導体の核心技術を中国に持ち出した容疑を受けているサムスン電子元研究員に対する拘束令状が棄却された。

ソウル中央地裁は１６日、不正競争防止および営業秘密保護に関する法律違反の容疑を受けているサムスン電子元首席研究員に対する拘束前被疑者尋問（令状実質審査）を開いた後、警察が請求した拘束令状を棄却した。

担当判事は「被疑者が犯行に対し事実・法理的側面で争っており、現在まで進められた捜査進行状況などに照らしてみると被疑者に防御権を保障する必要があるとみられる」と判断した。


また「被疑者に特別な犯罪歴がなく住居が一定で捜査機関の捜査と召喚に誠実に応じてきた点、関連証拠も相当数確保された点をはじめ被疑者の尋問態度、弁護人の弁疏内容などを考慮すると現段階で拘束の必要性と相当性が認められるとはみがたい」とした。

警察によると、元研究員は２０１４年にサムスン電子が独自に開発した２０ナノＤＲＡＭ半導体技術工程図７００件余りを無断で持ち出し、中国の半導体企業の成都高真科技に渡した容疑を受けている。

この日の令状審査で元研究員から押収した２０ナノの上位技術である１８ナノＤＲＡＭ工程の設計資料の一部と１６ナノＤＲＡＭ開発計画書類を裁判所に提出した警察は事案が重大だとして拘束の必要性を強調した。

元研究員は記憶に依存して作成した草案だとして容疑を全面否認した。

成都高真科技はサムスン電子役員、ハイニックス副社長を務めた人物が２０２１年に中国・成都市から約４６００億ウォンの投資を受けて設立した会社だ。元研究員はこの会社の幹部役員として在職中だ。