サムスン電子とその協力会社の半導体核心技術を中国の競合会社に無断で持ち出した元社員が１５日に拘束された。

ソウル中央地裁はこの日、サムスン電子の元部長と半導体装備納品業者ユジンテックの元チーム長に対し産業技術保護法違反で拘束令状を発行した。

ソウル中央地検情報技術犯罪捜査部は１２日、元部長をサムスン電子の国家核心技術である１８ナノＤＲＡＭ半導体工程情報とユジンテックの先端技術である蒸着装備設計技術資料を２０１６年に設立された中国の新生半導体企業ＣＸＭＴに持ち出した容疑で拘束令状を請求した。元部長と共謀してＣＸＭＴに蒸着技術を渡した元チーム長も同日拘束令状が請求された。今回の検察捜査は５月に国家情報院の捜査依頼を受け始まった。


半導体８大工程のひとつである蒸着技術は半導体をどれだけ小型化できるかを決定づける核心技術だ。半導体の材料であるウエハー表面に１マイクロメートル（１００万分の１メートル）より薄い厚さの膜を作り電気的特性を帯びさせる技術で、通常半導体会社の１級機密に当たる。元部長はサムスン電子勤務時代に蒸着専門家だったという。

検察は元部長が２０１６年にＣＸＭＴへ転職し自身の専門分野だった蒸着関連資料だけでなく残りの７大工程に関する技術資料も提供したとみている。最近ＣＸＭＴを退社した元部長が新たに設立した装備業者から６００段階で構成される８大半導体工程に対する文書ファイルなどが見つかったためだ。

検察はまた、元部長が経歴１０年以上のサムスン電子と関連企業の技術職２０人ほどに最小５億ウォン以上の契約金を提示するなど転職を通じた人材流出も試みたとみている。検察の捜査過程では「中国の新生企業との技術格差が減ったことを考慮すれば推定被害額は２兆３０００億ウォン程度になるだろう」という一部の主張も出てきた。

元部長と元チーム長の身柄を確保した検察は、技術流出に加担した彼らに対し追加捜査を継続する方針だ。