サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）会長が日本出張に出る。既存のＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュなど半導体事業が振るわない中で人工知能（ＡＩ）需要を狙った高付加価値事業の突破口を開くためだ。

１日の財界によると、李会長は今週末を前後して日本で半導体装備企業のディスコ、リンテックなどと会う予定だ。これら企業は切断研磨・粘着など半導体製造装備分野で世界的な技術を持つ。サムスン電子の内部事情に通じた関係者は「李会長が日本企業と高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）生産用の後工程設備供給について協議する予定」と伝えた。

高性能メモリー半導体であるＨＢＭは生成型人工知能（ＡＩ）の拡散で全盛時代を迎えている。市場調査会社トレンドフォースは今年のＨＢＭ需要が前年比５８％増加し、来年にはさらに３０％成長すると予想した。


シティーグループによると、今年のＨＢＭ需要に対する供給の割合はマイナス１３％、来年にはマイナス１５％に拡大した後、２０２７年に需給が均衡する見通しだ。今後３年間は供給不足が予想されるだけにＨＢＭをいかに多く長期的に供給するかが半導体企業の収益と競争力に直結する状況だ。

だがサムスン電子は初期市場をＳＫハイニックスに奪われた。サムスンもＨＢＭ開発に乗り出したが顕著な成果が出ないことから投資を緩めたためだ。その結果、昨年の世界のＨＢＭ市場の半分をＳＫハイニックスが占め、サムスン電子が４０％、米マイクロンが１０％で後に続いた。

マージンが高いＨＢＭ市場を先取りしてＳＫハイニックスは７－９月期にサムスン電子とマイクロンを抜いて最初にＤＲＡＭ事業の黒字転換に成功した。ここに昨年量産し始めた第４世代ＨＢＭ（ＨＢＭ３）をＡＩ半導体の大口取引先であるエヌビディアに独占して供給し未来収益も確保した。

サムスン電子もＨＢＭの取りまとめに乗り出している。サムスン電子メモリー事業部のキム・ジェジュン副社長は前日の７－９月期業績発表会で「業界最高水準の供給量維持に向け来年にＨＢＭ生産能力を現在の２．５倍以上で確保するだろう」と明らかにした。続けて「ＨＢＭ３は来年上半期中に会社全体のＨＢＭ販売量の半分を超えると予想される」と付け加えた。

サムスン電子のＨＢＭ月間生産能力はウエハー基準で今年の１万３０００枚から来年に３万１０００枚、２０２５年には４万８０００枚まで増えると予想される。サムスン電子は天安（チョナン）・温陽（オニャン）パッケージングラインを中心に増設作業を進めている。

李会長の今回の日本行きもＨＢＭ市場で主導権を持ってくるためと考えられる。李会長は過去にもサムスンが特定事業または経営と関連した難題に直面した時に世界各地のネットワークを稼動してこれを解決する姿を見せた。

特に李会長は優秀なＩＴ素材、部品、装備企業を中心に日本の業界・財界と緊密な関係を維持している。３月には東京で開かれた韓日ビジネスラウンドテーブルに尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領と韓国５大グループ会長らと参加した。また、先月２０日には日本の素材・部品企業で構成されたＬＪＦ（イ・ゴンヒの日本の友達）発足３０周年交流会を主宰したりもした。