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サムスン電子、業界最大容量DDR5開発「40年で50万倍」

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版

サムスン電子が開発した12ナノ級32Gb(ギガビット) DDR5DRAM。[写真 サムスン電子]

サムスン電子が業界最大容量である高性能DRAMを新たに発売した。生成型人工知能(AI)ブームでデータ処理量が急増し、増える高容量メモリー需要に対応するためだ。サムスン電子はこのような高性能製品を通じて半導体市場でアップターン(上昇局面)を先導していく構想だ。

1日、サムスン電子は12ナノ級32Gb(ギガビット)DDR5DRAMを開発したと明らかにした。32GbはDRAM単一チップ基準としては歴代最大容量となる。

1983年64Kb(キロビット)DRAMを初めて開発したサムスン電子は今年40年ぶりに容量を50万倍に増やすことに成功した。サムスン電子は今年5月12ナノメートル(1ナノメートル=10億分の1メートル)級の16Gb DDR5DRAMを量産したことに続き、業界最大容量である32Gb DDR5DRAM開発に成功してDRAM微細工程競争で技術リーダーシップを確保している。


サムスン電子によると、今回の32Gb製品は同一パッケージサイズでアーキテクチャー改善を通じて16GbDRAM比2倍の容量を実現した。128GB(ギガバイト)モジュールをTSV(シリコン貫通電極)工程なく製作することができる。TSVはチップを最大限に薄くして数百個の微細な穴をあけて上段チップと下段チップの穴を垂直に貫通する電極を連結した先端パッケージング技術だ。TSVはHBM(高帯域幅メモリー)生産するための核心工程であることから、限定されたTSVキャパ(生産能力)をDRAMと分けずにHBM生産に集中することができるという説明だ。HBMは今後5年間で年平均30%台の成長が予想される製品だ。

最近の生成型AIブームに乗ってコンピューティング処理量が幾何級数的に増加している。2010年グローバルデータ量が2ZB(ゼタバイト)にすぎなかったが今年には100ZBを越えて2025年には181ZBまで急増するものと展望される。このような変化の中で多くのグローバル企業が競争力のあるデータセンター確保のために投資をしていて、特に生成型AIに必須のハイエンドサーバーはもっと速く大量のデータを処理するためにサーバー当たりDRAM搭載量を持続して増やしている。サムスンはこのような需要に足並みを揃える形で新製品を発売した。

今回の新製品は同一128GBモジュール基準、16GbDRAMを搭載したモジュール比約10%消費電力を改善することが可能だ。サムスン電子は今回の12ナノ級32Gb DDR5DRAMの開発を通じて高容量DRAMラインナップを引き続き拡大して次世代DRAM市場をリードしていく戦略だ。

サムスン電子メモリー事業部DRAM開発室長(副社長)のファン・サンジュン氏は「今回の12ナノ級32GbDRAMで今後1TBモジュールまで実現することができるソリューションを確保することになった」とし「サムスン電子は今後も差別化した工程と設計技術力でメモリー技術の限界を克服していくだろう」と語った。



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