サムスン電子の半導体工場設計資料などを持ち出して中国に複製工場を作ろうとしたサムスン電子元役員らが裁判にかけられた。検察は技術流出によりサムスン電子が受けた被害を最小３０００億ウォン（約３２４億円）に達するものと推定している。

水原（スウォン）地検防衛事業・産業技術犯罪捜査部は１２日、産業技術保護法違反と不正競争防止法違反（営業秘密の国外漏洩など）の容疑でＡ被告（６５）を拘束起訴したと明らかにした。また、Ａ被告が設立した半導体製造業者の社員Ｂ被告ら５人と設計図面を持ち出したサムスン電子協力企業の社員１人の６人を不正競争防止法違反などの容疑で在宅起訴した。

Ａ被告らは２０１８年８月から２０１９年まで営業秘密である半導体工場の基本設計データ（ＢＥＤ）と工程配置図、設計図面などを利用して中国・西安に半導体工場を建てようとしていたとの容疑を受けている。


Ａ被告らが持ち出したＢＥＤは半導体を製造する空間であるクリーンルームを不純物が存在しない最適な環境にするための技術だ。工程配置図は半導体生産に向けた核心８大工程の配置や面積などの情報が記載された図面だ。コンピュータ・携帯電話などを作るのに使われる３０ナノ以下級ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュを製造する半導体工程技術だ。

これはサムスン電子が最適な半導体製造工程を実現するために３０年以上にわたり研究開発とシミュレーションなどを通じて得た資料で、最小３０００億ウォン、最大数兆ウォンの価値を持つ営業秘密であり国家核心技術だと検察は明らかにした。

Ａ被告はサムスン電子で１８年間にわたり半導体分野の常務などとして勤めた後、２００１年に退職しＳＫハイニックス副社長を務め、韓国の半導体製造分野の権威として知られる。

彼は２０１５年７月にシンガポールに半導体会社のＣ社を設立した。３年後の２０１８年８月には台湾の電子製品生産・販売企業と８兆ウォンの投資約定を締結した。しかし台湾企業が支援を中断すると２０２０年４月には中国・成都で４６００億ウォンの投資を受け半導体会社のＤ社を設立した。

半導体会社設立過程でサムスン電子とＳＫハイニックス出身の韓国人半導体核心人材２００人も高額な年俸で引き抜いていたことがわかった。

◇中国・西安にサムスンの複製工場設立推進

彼らは投資を受けた海外資本と持ち出した技術で中国・西安にサムスン電子の半導体工場と同じ半導体工場建設を推進した。この工場の敷地はサムスン電子の半導体工場とわずか１．５キロメートルの距離にあるという。

検察の調査の結果、Ａ被告は工場を作る過程で役員・社員にサムスン電子の設計資料などを入手して使うよう積極的に指示していたことがわかった。

Ｂ被告ら共犯者もＡ被告の指示により複製工場設立を推進した。この過程でサムスン電子出身である元Ｃ社チーム長は２０１２年にサムスン電子を退社する際に違法に所持した半導体工場のＢＥＤデータ資料を提供したことがわかった。

工場設計図面はサムスン電子西安半導体工場の協力会社の社員が持ち出していた。工程配置図の流出経緯は現在の追加捜査が進んでいる。

しかしこの複製工場は台湾企業と結んだ８兆ウォンの投資がこじれて実際には建設されていない。だがＡ被告が中国・成都で投資を受けて設立したＣ社が昨年研究開発棟を完工しており、今年サムスン電子の半導体技術を使った半導体の試作品を生産したという。

２０１９年８月に大検察庁（最高検）への情報提供を受け捜査に着手した検察はＡ被告らが長期にわたり中国に滞在していることから捜査を中断していたが、今年２月に彼らが入国すると本格的な捜査に着手した。

しかしＡ被告はすべての容疑を否認しているという。

検察関係者は「Ａ被告らは断片的な半導体技術流出ではなく半導体工場そのものを複製しようと試みた。この工場が設立されたとすれば韓国と類似の品質の半導体製品が大量生産され韓国の半導体産業に回復不可能な損害が発生しただろう」と話した。