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中国にサムスン半導体の「複製工場」推進…サムスン元役員が技術持ち出す

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版
サムスン電子の半導体工場設計資料などを持ち出して中国に複製工場を作ろうとしたサムスン電子元役員らが裁判にかけられた。検察は技術流出によりサムスン電子が受けた被害を最小3000億ウォン(約324億円)に達するものと推定している。

水原(スウォン)地検防衛事業・産業技術犯罪捜査部は12日、産業技術保護法違反と不正競争防止法違反(営業秘密の国外漏洩など)の容疑でA被告(65)を拘束起訴したと明らかにした。また、A被告が設立した半導体製造業者の社員B被告ら5人と設計図面を持ち出したサムスン電子協力企業の社員1人の6人を不正競争防止法違反などの容疑で在宅起訴した。

A被告らは2018年8月から2019年まで営業秘密である半導体工場の基本設計データ(BED)と工程配置図、設計図面などを利用して中国・西安に半導体工場を建てようとしていたとの容疑を受けている。


A被告らが持ち出したBEDは半導体を製造する空間であるクリーンルームを不純物が存在しない最適な環境にするための技術だ。工程配置図は半導体生産に向けた核心8大工程の配置や面積などの情報が記載された図面だ。コンピュータ・携帯電話などを作るのに使われる30ナノ以下級DRAMとNAND型フラッシュを製造する半導体工程技術だ。

これはサムスン電子が最適な半導体製造工程を実現するために30年以上にわたり研究開発とシミュレーションなどを通じて得た資料で、最小3000億ウォン、最大数兆ウォンの価値を持つ営業秘密であり国家核心技術だと検察は明らかにした。

A被告はサムスン電子で18年間にわたり半導体分野の常務などとして勤めた後、2001年に退職しSKハイニックス副社長を務め、韓国の半導体製造分野の権威として知られる。

彼は2015年7月にシンガポールに半導体会社のC社を設立した。3年後の2018年8月には台湾の電子製品生産・販売企業と8兆ウォンの投資約定を締結した。しかし台湾企業が支援を中断すると2020年4月には中国・成都で4600億ウォンの投資を受け半導体会社のD社を設立した。

半導体会社設立過程でサムスン電子とSKハイニックス出身の韓国人半導体核心人材200人も高額な年俸で引き抜いていたことがわかった。

◇中国・西安にサムスンの複製工場設立推進

彼らは投資を受けた海外資本と持ち出した技術で中国・西安にサムスン電子の半導体工場と同じ半導体工場建設を推進した。この工場の敷地はサムスン電子の半導体工場とわずか1.5キロメートルの距離にあるという。

検察の調査の結果、A被告は工場を作る過程で役員・社員にサムスン電子の設計資料などを入手して使うよう積極的に指示していたことがわかった。

B被告ら共犯者もA被告の指示により複製工場設立を推進した。この過程でサムスン電子出身である元C社チーム長は2012年にサムスン電子を退社する際に違法に所持した半導体工場のBEDデータ資料を提供したことがわかった。

工場設計図面はサムスン電子西安半導体工場の協力会社の社員が持ち出していた。工程配置図の流出経緯は現在の追加捜査が進んでいる。

しかしこの複製工場は台湾企業と結んだ8兆ウォンの投資がこじれて実際には建設されていない。だがA被告が中国・成都で投資を受けて設立したC社が昨年研究開発棟を完工しており、今年サムスン電子の半導体技術を使った半導体の試作品を生産したという。

2019年8月に大検察庁(最高検)への情報提供を受け捜査に着手した検察はA被告らが長期にわたり中国に滞在していることから捜査を中断していたが、今年2月に彼らが入国すると本格的な捜査に着手した。

しかしA被告はすべての容疑を否認しているという。

検察関係者は「A被告らは断片的な半導体技術流出ではなく半導体工場そのものを複製しようと試みた。この工場が設立されたとすれば韓国と類似の品質の半導体製品が大量生産され韓国の半導体産業に回復不可能な損害が発生しただろう」と話した。



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