サムスン電子が極端紫外線（ＥＵＶ）工程を適用した業界最小線幅の１４ナノＤＲＡＭ量産に入った。競争社よりも先を行く工程技術を導入して「メモリー超格差」を維持する戦略とみられる。

サムスン電子はＥＵＶ露光装置を使った１４ナノＤＲＡＭの量産を始めたと１２日、明らかにした。サムスン電子はこれまで主に１５ナノ工程でＤＲＡＭを量産してきた。これに先立ち、サムスンは４－６月期の実績発表カンファレンスコールで「下半期には１４ナノＤＲＡＭの５つのレイヤー（層）にＥＵＶ工程を適用する」と明らかにしたことがある。サムスン電子メモリー事業部副社長のハン・ジンマン氏は「１４ナノＤＲＡＭにＥＵＶを適用して原価競争力を確保することができると考える」と自信をのぞかせた。

半導体は回路の線幅が狭いほどウェハー１枚から作ることができる製品の数量が増える。それだけ原価競争力と生産性が高まり、半導体の性能と電力効率性は改善される。加えて半導体回路をさらに細かく実現できるＥＵＶ露光技術を適用すれば半導体の収率が向上する。


サムスン電子によると、ＥＵＶ工程が適用されたサムスン電子１４ナノＤＲＡＭは業界最高のウェハー集積度で以前の世代に比べて生産性が約２０％向上した。また、消費電力は以前の工程に比べて約２０％改善された。

サムスン電子は今回の新規工程を最新ＤＤＲ５　ＤＲＡＭからまず適用する。次世代ＤＲＡＭ規格であるＤＤＲ５は以前のＤＤＲ４に比べて２倍以上の速度を誇る。最近、データセンターやスーパーコンピュータ、企業用サーバー市場などで高性能ＤＤＲ５に対する需要が高まっている。

サムスン電子は１４ナノ工程と高い成熟度のＥＵＶ工程技術力をベースに差別化した性能と安定した収率を実現して、ＤＤＲ５　ＤＲＡＭ大衆化を先導するという戦略だ。

サムスン電子メモリー事業部ＤＲＡＭ開発室長（専務）のイ・ジュヨン氏は「サムスン電子は過去３０年間、絶え間ない技術革新を通じて半導体微細工程の限界を克服してきた」とし「高容量・高性能だけでなく、高い生産性で５世代（５Ｇ）と人工知能（ＡＩ）・メタバースなどビッグデータ時代に必要な最高のメモリーソリューションを供給していく」と話した。