サムスン電子はＥＵＶ露光装置を使った１４ナノＤＲＡＭの量産を始めたと１２日、明らかにした。サムスン電子はこれまで主に１５ナノ工程でＤＲＡＭを量産してきた。これに先立ち、サムスンは４－６月期の実績発表カンファレンスコールで「下半期には１４ナノＤＲＡＭの５つのレイヤー（層）にＥＵＶ工程を適用する」と明らかにしたことがある。サムスン電子メモリー事業部副社長のハン・ジンマン氏は「１４ナノＤＲＡＭにＥＵＶを適用して原価競争力を確保することができると考える」と自信をのぞかせた。


半導体は回路の線幅が狭いほどウェハー１枚から作ることができる製品の数量が増える。それだけ原価競争力と生産性が高まり、半導体の性能と電力効率性は改善される。加えて半導体回路をさらに細かく実現できるＥＵＶ露光技術を適用すれば半導体の収率が向上する。