韓国生産技術研究院は世界最高水準のめっき膜平坦度を実現した半導体用高性能銅めっき液の源泉技術を独自開発し、技術移転企業と共に製品を発売して初の国産化に成功したと３１日、明らかにした。

半導体パッケージングに必須の「半導体用銅めっき液」は、その全量を日本や米国からの輸入に頼り、半導体全工程のうち現在唯一「国産化率ゼロ（０％）」の素材だ。この素材はウェハー（Ｗａｆｅｒ）の上に刻まれた回路パターンを銅でめっきし、該当の部分だけに電気的特性をもたせるようにする「バンピング（Ｂｕｍｐｉｎｇ）」という工程で主に使われる。

新環境熱表面処理研究部門のイ・ミンヒョン博士研究チームは、３年間で約１万５０００回の実験を繰り返した末に、めっき膜の表面を平坦化する各種有機添加剤のうち最適の添加剤とその混合比率を突き止め、めっき厚偏差「２％以内」という世界最高水準の高平坦度化を実現した。


需要企業で実際に工程テストを行った結果、最大毎分３マイクロメートルの高速度めっき速度でめっき厚偏差「２％以内」の高平坦度の確保が可能で、従来の日本製素材に比べて生産性が約１５０％ほど向上したことが分かった。今後数カ月以内に評価が問題なく完了すれば、国内半導体生産製品の約８０％に使われるめっき素材装備の初の国産化となり、さらに日本など素材強国への逆輸出も可能になるものと期待される。

イ博士は「約２０００億ウォン（約１９０億円）規模の半導体めっき液市場は、大企業が進出することはあまりないが、中小企業には高度な技術力が求められる分野だったため国産化が遅れていた状況であり、公共研究機関が本来の役割を果たした結果」とし「３次元集積回路の実現のためのシリコン貫通電極（ＴＳＶ）用製品の開発に続いて、今後さまざまな産業で活用できる高性能錫（スズ）－銀、インジウムめっき液まで研究領域を広げていく計画」と話した。