最近半導体業界では米国マイクロンテクノロジーが生産したという「１７６層３次元（Ｄ）ＮＡＮＤ」製品を手に入れることが関心事だ。マイクロンが昨年１１月に量産に入ったと発表したが、市場ではこの製品になかなかお目にかかれないという。匿名を求めた半導体業界関係者は１６日、「研究用として製品を手に入れようと１月からさまざまなルートを通じて調べている。５カ月が過ぎた今も方法を探すことができていない」と話した。この関係者は「市場にこの製品が出回っていないということだと考えることができる」と付け加えた。

マイクロンが１７６層３Ｄ　ＮＡＮＤを発売したとすればメモリー半導体でサムスン電子の技術力を超えることになる。現在サムスン電子は１２８層　Ｖ－ＮＡＮＤを作っている。サムスン電子は下半期に１７６層製品を量産する予定だ。表面的にはサムスン電子がマイクロンに６カ月～１年ほど遅れをとった格好だ。

グローバルメモリー半導体市場でマイクロンは占有率１１．１％で５位を占めている。このようなマイクロンが昨年新製品量産を発表すると半導体業界では「サムスン電子がライバルメーカーにメモリー半導体技術トップの座を明け渡す可能性もある。半導体ファウンドリ（委託生産）分野では台湾ＴＳＭＣとの格差を縮めることができるにいる」という話も出た。


マイクロンは今年４月、世界で初めて１４ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）ＤＲＡＭを開発したと宣言した。現在サムスン電子が量産中の１５ナノＤＲＡＭの先を行く製品だ。これまで技術の「超格差」を戦略として掲げていたサムスン電子にとってはプライドが傷つけられることだった。

半導体業界では「マイクロンが技術力を誇張している」という話も出ている。韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は「後発企業は先導技術を追撃する構図なので（先発企業との）格差が狭まるのは事実だ。だが、メモリー半導体は相変らずサムスン電子が先頭」と話した。

ＮＡＮＤで３次元構造技術はサムスン電子が２０１３年に世界に先駆けて公開した。チップをアパートのように垂直に積み上げてデータ格納空間を増やすことが核心だ。サムスン電子は層を構成するセルの大きさを縮小することに注力している。サムスン電子関係者は「最近セル自体の平面積と高さを最大３５％まで減らした。セルが互いに干渉する現象を制御する技術も開発した」と話した。

層を積むために穴を開ける技術（シングルスタックエッチング）も重要だ。例えば１００層を積むためには１０億個以上の穴を開けなければならない。この穴を開ける技術が優れているほど収率（完成品比率）が高まる。それだけ価格競争力を確保することができる。

サムスン電子は今年に入って１０件を越える新技術開発を発表した。サムスン電子メモリー事業部のハン・ジンマン副社長は「下半期に１４ナノＤＲＡＭと７世代　ＶーＮＡＮＤを本格的に量産する計画」と話した。半導体業界では「以前なら営業秘密次元で全く言及することのなかった開発現況を公開して技術力を誇示する格好」という話が出ている。


サムスン電子が危機？　メモリーは先頭、ファウンドリは逆転機会（２）