サムスン電子側は「李副会長が１３日（現地時間）、オランダのアイントホーフェンにあるＡＳＭＬ本社を訪問し、ピーター・ウェニンク最高経営責任者（ＣＥＯ ）と７ナノ以下の半導体生産に必須のＥＵＶ装置供給計画および運営技術の高度化などについて議論した」とし「ＡＳＭＬの生産工場も訪問し、実際に現況を点検した」と明らかにした。続いて「最近はシステム半導体に続いて最先端メモリー半導体分野にまでＥＵＶ活用範囲を拡大していて、特にファウンドリー（半導体委託生産）事業が速いペースで成長し、両社の協力関係も拡大している」と伝えた。


ＥＵＶ装置は７ナノメートル（ｎｍ・１ナノメートルは１０億分の１メートル）以下の半導体製造工程で必須の装備。ウェハー上に光で回路パターンを転写する露光工程に使われる。ＥＵＶを光源に使用すれば、従来のフッ化アルゴン（ＡｒＦ）光源より波長が約１４分の１と短く、より微細な回路パターンを描写できる。細密な回路パターンの半導体であるほど性能と効率が良い。ＥＵＶ基盤の最先端製品の需要は増加している。