サムスン電子は２５日、「協力会社と素材・装備の共同開発の努力が続々と実を結んでいる」と述べた。ＥＯテクニクスの場合、これまで輸入に依存していた半導体の蒸着とエッチング工程に用いられる高性能レーザー設備をサムスン電子と共同開発した。レーザーを使っていなかったときは、複数回に渡って蒸着とエッチングを繰り返しながら回路以外のフォトレジストを除去したが、回路が全点微細化し、技術的な限界にぶつかっていた状況だ。サムスン電子は「ＤＲＡＭ微細化の過程で慢性的に発生する不具合問題を解決できるようになり、収率（完成品の割合）を引き上げることができるようになった」と語った。ＥＯテクニクスの成圭棟（ソン・ギュドン）代表は「８年間にわたるサムスン電子との研究開発の成果として開発に成功し、同社の従業員も大きな誇りを感じた」とし「今後も革新による半導体の競争力強化の努力を続けていきたい」と述べた。


フッ化水素メーカーのソルブレインは、サムスン電子と合同でＮＡＮＤ型フラッシュエッチング工程の核心素材「高選択比リン酸」を世界で初めて開発した。高選択比リン酸とは、特定の物質だけを選択的に溶かし、ウェハー上に正確な回路を描くことができる。また、サムスン電子はサイノースと合同で半導体エッチング工程の効率化に必要なセラミックパウダーを開発した。サムスン電子の関係者は「協力会社と共同開発した装備や素材により製品の品質が大幅に向上した」とし「協力会社の競争力が強化されたのはもちろんのこと、国内の半導体メーカーの生態系がさらに強化されることが期待される」と述べた。