サムスン電子が非メモリーに続きメモリー半導体への投資を加速する。サムスン電子は先月の平沢（ピョンテク）のファウンドリー（半導体委託生産）への１０兆ウォンの投資に続き１日にはＮＡＮＤ型フラッシュ半導体に７兆～９兆ウォンを追加で投資する計画を出した。中国がＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュなどメモリー半導体分野で追撃速度を高めていることから、果敢な投資でさらに引き離す戦略と分析される。いわゆる「超格差戦略」だ。

サムスン電子は１日、平沢第２ラインでＮＡＮＤ型フラッシュクリーンルーム工事に着手し、来年下半期から量産に入る予定だと発表した。サムスン電子関係者は「人工知能（ＡＩ）とモノのインターネット（ＩｏＴ）など第４次産業革命到来と第５世代（５Ｇ）通信の普及により長期的にＮＡＮＤ需要が大きくなると予想される。メモリー分野に対する積極的な投資で未来市場機会を先取りしていくだろう」と話した。半導体工場は建物建設、クリーンルーム設置、装備搬入、試作品生産、量産の順序で構築される。業界では今回サムスンが投資する金額を７兆～９兆ウォン規模と推定している。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーはパソコンに使われるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）とデータセンターなどに活用される。市場調査会社のトレンドフォスによると、２０２０年１－３月期の世界のＮＡＮＤ型フラッシュ売上額は１３５億８０００万ドルで前期比８．３％増加した。サムスン電子は売上額４５億ドル、シェア３３．３％で１位を記録中だ。ＮＡＮＤ分野でサムスンは２００２年から１位の座に就いている。


昨年７月には業界で初めて１００層を超える第６世代ＶＮＡＮＤ製品を量産している。ＮＡＮＤの層はセルを何層にも積むことにより速度と安定性・効率性を向上させるもので、高度な技術力が必要だ。

サムスン電子は２０３０年までにメモリーだけでなく非メモリー分野でも半導体１位を目指すという「半導体ビジョン２０３０」を発表した。ＤＲＡＭとＮＡＮＤなどメモリー分野では不動の１位を守っているが、半導体市場の７０％を占める非メモリー分野でサムスンだけでなく韓国企業全体の世界市場シェアが４％にすぎない。半導体ビジョン２０３０は投資金額だけで１０年間に１３０兆ウォンに達する。

このためややもすると１位を占めているメモリー分野に対する投資がおろそかになるのではないかという懸念も出ている。しかし今回の投資でメモリー分野１位守成に対する意志も明確にした格好だ。サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）副会長は先月６日の記者会見で「絶え間ない革新と技術力で最もうまくできる分野に集中しながらも新事業に果敢に挑戦する」と明らかにしている。

世界の競合企業もやはりメモリー市場を狙っている。１００層を超える高層ＮＡＮＤ型メモリー量産競争も加熱している。非メモリー分野の強者であるインテルは今年１４４層ＮＡＮＤの量産計画を明らかにし、マイクロンも４－６月期に１２８層ＮＡＮＤの量産を始める。中国の長江メモリー（ＹＭＴＣ）もやはり先月１２８層ＮＡＮＤの開発に成功したとし、年内の量産を宣言した。ＳＫハイニックスも１７６層４次元（４Ｄ）ＮＡＮＤを研究している。これに対応してサムスン電子は１６０層以上の第７世代ＮＡＮＤを開発中であることがわかった。

半導体業界関係者は「メモリー半導体の中でもＤＲＡＭよりＮＡＮＤの技術参入障壁が低い。まだサムスンと競合企業の格差は相当にあるが、サムスンは先制的な投資で『超格差』を広げるという意図とみられる」と話した。サムスン電子メモリー事業部戦略マーケティング室のチェ・チョル副社長は「今回の投資は不確実な環境の中でもメモリー超格差をさらに拡大するための努力。最高の製品で顧客需要にスムーズに対応することで国家経済とグローバルＩＴ産業の成長に寄与するだろう」と明らかにした。