地震だろうか、それとも茶碗の中の台風だろうか。中国半導体企業「長江メモリーテクノロジー（ＹＭＴＣ）」が先月中旬、世界を緊張させた。「１２８層３Ｄ　ＮＡＮＤフラッシュメモリーを開発した。今年末に量産する」と発表した。核心は「１２８層」という数字だ。メモリーを１２８層積み上げたということだ。層数はＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの競争力の核心要素となる。現在トップ走者のサムスン電子・ＳＫハイニックスもこの水準だ。サムスン電子は昨年７－９月期に１２８層ＮＡＮＤの量産を始め、ＳＫハイニックスは今年４－６月期の予定だ。

◆中国が韓国レベルのＮＡＮＤ型フラッシュメモリー開発


数年前まで韓国と中国の差はかなり大きかった。ＹＭＴＣが３２層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発したと発表したのが２０１８年８月だった。サムスン電子が似た製品を生産してから４年ほど経過した後だった。また、サムスン電子とＳＫハイニックスは３２層はもちろん４８層を超えて６４層を生産する段階だった。中国はサムスンやＳＫをターゲットにしていたが、当時はまだ接近するのが難しい距離だった。それがもうわずかな差にまで技術格差が縮まった。このままでは主力の中の主力である韓国半導体産業が強力な挑戦者を迎えることになる。もちろんこれは「年末量産」というＹＭＴＣの発表をそのまま信じる場合の話だ。


ＹＭＴＣは以前にも量産計画を発表している。３２層は２０１８年末、６４層は昨年末だった。しかし市場でＹＭＴＣの製品を見つけるのは難しかった。量産でなく試作品を出すレベルだった。１２８層ＮＡＮＤも試作品レベルの生産という見方が出ている理由だ。漢陽大の朴在勤（パク・ジェグン）教授（融合電子工学部）は「１２８層のＮＡＮＤを年末に量産するには、すでに生産装備を大規模に購入する必要があるが、そのような動きはない」と述べた。

なぜ中国は熱心にメモリーを開発しながらも試作品ばかり出しているのか。国内の業界と学界では「収率が問題であるはず」と解釈している。収率とは、半導体ウェハー１枚からまともなメモリーチップをどれほど多く作ることができるかを示す数値で、収率が落ちれば浪費が多く赤字が出る。

朴在勤教授は「収率が９０％以上になってこそ競争力が生じるが、中国はその水準に達していないようだ」と診断した。中国のメモリー開発技術は急速に発展しているが、生産技術がそれに追いついていないということだ。朴教授は「とはいえ安心はできない」と話した。朴教授は「生産はともかく開発技術で先に追いつこうというのが中国の戦略」と紹介した。

－－なぜそのような戦略を選んだのか。

「メモリーは遅れた技術で市場に製品を出しても赤字が増えるだけだ。それならひとまず製品開発でサムスン・ＳＫに追いついてから市場に参入するのがよいと考えた可能性がある」

－－製品開発にも莫大な投資が必要だが。

「中国は技術開発ペースを満足させれば政府が投資を続ける（ＹＭＴＣは国営企業）。ＹＭＴＣにもそのようにしてきた」

－－政府が望むペースにＹＭＴＣが合わせてきたということか。

「技術追撃ペースが非常に速い。警戒心を抱く必要がある。停滞すれば追い越されることもある」

中国政府は半導体崛起のために莫大な資金を確保している。半導体投資用として２度にわたり設立した政府ファンドが約５８兆ウォン（約５兆円）にのぼる。ＮＡＮＤフラッシュだけでなくＤＲＡＭなどにも投資する財源だ。開発技術で完全に韓国に追いついたと判断すれば、巨額を注ぎ込んで生産施設を構築すると予想される。この場合、カギは高性能新製品開発技術の格差の維持だ。

しかし容易なことではない。すでに懸念の声が出ている。単に中国のペースが速いという理由だけではない。「技術」というものが持つ内在的限界のためだ。どのような技術でもいつかは発展ペースが遅くなる。ＮＡＮＤフラッシュはメモリー層数を積み上げる速度が、ＤＲＡＭは線間幅を減らす速度がそうだ。１０年前には年に１０ナノメートル（１ナノメートルー１ミリメートルの１００万分の１）ずつ縮小していたＤＲＡＭ線間幅が今では１ナノメートルずつ縮小している。５年前に１０ナノメートル台に入ったが、現在はまだ１４－１５ナノメートルだ。


【コラム】中国発メモリー危機論が浮上（２）