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「限界と思われる時、壁を越えよう」サムスン総合技術院を訪ねた李在鎔副会長

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版

サムスン電子の李在鎔副会長

李在鎔(イ・ジェヨン)サムスン電子副会長が25日、京畿道水原(キョンギド・スウォン)にあるサムスン総合技術院を訪ねた。サムスン総合技術院は1987年以降サムスンの研究・開発(R&D)の中心的な役割を果たしている。現在17研究室で約1200人が人工知能(AI)・量子コンピュータなど次世代技術を研究している。

李副会長は技術院を訪問した席で「大変で厳しい時こそ未来を徹底して準備しなければならない。国民の声援にわれわれが応えられる道は革新」と話した。また「限界にぶつかったと思われる時、もう一度頑張って壁を越えよう」と強調した。サムスンによると、李副会長は技術院で▼AI半導体とソフトウェアのアルゴリズム▼量子コンピューティング技術▼未来保安技術▼半導体・ディスプレイ・電池の革新素材--などについて意見を交換した。サムスン電子の部品事業の首長を務めるキム・ギナムDS部門長(副会長)とファン・ソンウ総合技術院長(社長)などが参加した。

サムスン電子はこの日、半導体会社の中で初めてDRAMにも極端紫外線(EUV)工程を適用して量産体制を整えたと発表した。サムスン電子のデバイスソリューション(DS)部門は「EUV工程で生産した第1世代(1x)10ナノメートル(nm)級DDR4DRAM100万個以上を世界の顧客に供給した」と明らかにした。

1ナノメートルは10億分の1メートルで、人の髪の毛の太さ(10マイクロメートル)の約1万分の1だ。DDR4DRAMはPCやサーバーの臨時記憶装置に使うメモリー半導体だ。サムスン電子は世界のDラム市場で約45%のシェアを誇り1位だ。

光の一種類であるEUVは半導体を作る時、ウェハー上に線路を描く露光工程に使われる。現在、多く使われるフッ化アルゴン(ArF・193nm)に比べると、光の波長(13nm)が14分の1程度なのでさらに微細な回路を描くことができる。大量生産が必要なDRAMにEUV工程を取り入れれば、同じ作業を繰り返すことが減り量産規模を増やす効果を期待することができる。

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