サムスン電子がフルＨＤ級映画８２本分を１秒で伝送できる半導体を発表した。サムスン電子は４日、人工知能（ＡＩ）と次世代スーパーコンピュータ（ＨＰＣ）用データ分析に活用できる超高速ＤＲＡＭ半導体「フラッシュボルト」を発売したと発表した。フラッシュボルトは容量１６ギガバイト（ＧＢ）の３世代高帯域幅メモリー（ＨＢＭ２Ｅ）ＤＲＡＭで、これまでの第２世代より速度が１．３倍、容量が２．０倍向上した。

サムスン電子が第２世代８ギガバイトＨＢＭ２ＤＲＡＭ「アクアボルト」を世界で初めて開発し量産を始めてから２年で第３世代製品のフラッシュボルトを発売し次世代プレミアムメモリー市場の先取りに乗り出したとの見方が出ている。

フラッシュボルトは１個のバッファチップの上に１６ギガビットＤＲＡＭチップ（１０ナノ級）８個を積み１６ギガバイトの容量を実現したのが特徴だ。１６ギガビットＤＲＡＭチップに５６００個以上の微細な穴を開け合計４万個を超えるＴＳＶ（シリコン貫通電極）接合ボールで８個のチップを垂直連結した「超高集積ＴＳＶ設計技術」を使った。この製品は信号伝送最適化回路設計を活用して合計１０２４個のデータ伝達通路で１秒当たり３．２ギガビットの速度で４１０ギガバイトのデータを処理する。フルＨＤ級映画８２本（４１０ギガバイト）を１秒で伝達できる水準だ。この製品はまた、世界で初めて１秒当たり４．２ギガビットまでデータ伝達速度を確保し、今後５３８ギガバイトを１秒で処理できると予想される。